Calculatrice A à Z

Largeur de diffusion de la source Calculatrice

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✖La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.ⓘ Zone de diffusion de la source [As]
+10%
-10%
✖La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.ⓘ Longueur de la source [Ds]
+10%
-10%
✖La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.ⓘ Largeur de diffusion de la source [W]
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Formule
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Largeur de diffusion de la source

Formule
`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"}`

Exemple
`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm"`

Calculatrice
LaTeX
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Largeur de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
W = As/Ds
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
Zone de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Zone de diffusion de la source: 5479 Millimètre carré --> 0.005479 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
W = As/Ds --> 0.005479/0.061
Évaluer ... ...
W = 0.0898196721311476
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0898196721311476 Mètre -->89.8196721311476 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
89.8196721311476 ≈ 89.81967 Millimètre <-- Largeur de transition
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques des circuits CMOS » Largeur de diffusion de la source

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS
Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Permittivité de la couche d'oxyde
Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Épaisseur de la couche d'oxyde
Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée
Largeur de la porte
Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)
Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source
Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
Largeur de la région d'appauvrissement
Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal
Largeur de transition du CMOS
Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS
Longueur effective du canal
Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
Longueur de jonction PN
Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal
Champ électrique critique
Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron
Largeur de diffusion de la source
Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen
Tension au minimum EDP
Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Largeur de diffusion de la source Formule

Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
W = As/Ds

Quelles sont les applications de la Source Diffusion ?

La diffusion de source est un processus critique dans la technologie CMOS, avec de nombreuses applications. Il est utilisé pour réduire les dimensions des transistors, améliorer les performances des circuits consécutifs et augmenter la vitesse globale des puces. De plus, la diffusion de source facilite l'intégration de plusieurs transistors sur une seule puce, permettant la fabrication de circuits intégrés complexes et haute densité.

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