Gate-Source-Kapazität Taschenrechner

✖Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz [g_m]			+10% -10%
✖Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.ⓘ Grenzfrequenz [f_co]			+10% -10%

✖Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]

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Formel

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Gate-Source-Kapazität

Formel

`"C"_{"gs"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"f"_{"co"})`

Beispiel

`"264.8169μF"="0.05S"/(2*pi*"30.05Hz")`

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Gate-Source-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_gs = g_m/(2*pi*f_co) --> 0.05/(2*pi*30.05)

Auswerten ... ...

C_gs = 0.000264816877024784

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

264.816877024784 ≈ 264.8169 Mikrofarad <-- Gate-Source-Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Gate-Source-Kapazität Formel

Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)

Welche Anwendungen gibt es für MESFET?

MESFETs bieten Vorteile wie hohe Verstärkung, hohe Geschwindigkeit, geringes Rauschen und geringen Stromverbrauch, wodurch sie für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Elektronik, Telekommunikation und Biomedizin geeignet sind.

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