Résistance d'entrée étant donné la transconductance Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance
rπ = β0/gm
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée est la résistance vue à la borne de base du transistor.
Gain de courant de petit signal - Le gain de courant de petit signal est une mesure de la variation du courant du collecteur en réponse à un petit changement du courant de base.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Gain de courant de petit signal: 4.7 --> Aucune conversion requise
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
rπ = β0/gm --> 4.7/0.0005
Évaluer ... ...
rπ = 9400
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
9400 Ohm --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
9400 Ohm <-- Résistance d'entrée
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

14 Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel
​ Aller Résistance de sortie = ((Signal d'entrée en mode commun*Transconductance)-Courant total)/(2*Transconductance*Courant total)
Résistance d'entrée du Mosfet
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/(Courant du collecteur*Gain de courant de petit signal)
Résistance finie entre le drain et la source
​ Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
​ Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
Résistance de sortie de vidange
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Modulation de longueur de canal*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la transconductance
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Mobilité des transporteurs*Transconductance)
Résistance d'entrée étant donné la transconductance
​ Aller Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance
Résistance de sortie du Mosfet
​ Aller Résistance de sortie = Tension précoce/Courant du collecteur
Résistance dépendante de la tension dans MOSFET
​ Aller Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange
Résistance d'entrée de petit signal
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de base
Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
​ Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
MOSFET comme résistance linéaire
​ Aller Résistance linéaire = 1/Conductance du canal

Résistance d'entrée étant donné la transconductance Formule

Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance
rπ = β0/gm
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