Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).ⓘ Paramètre de transconductance [K_n]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [V_ox]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.ⓘ Tension entre la porte et la source [V_gs]			+10% -10%

✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source [i_d]

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Formule

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Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Formule

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Exemple

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

Calculatrice

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Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance: 2.95 Milliampère par volt carré --> 0.00295 Ampère par volt carré (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de l'oxyde: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension entre la porte et la source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Évaluer ... ...

i_d = 0.017489075

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.017489075 Ampère -->17.489075 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

17.489075 ≈ 17.48907 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

< 18 Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Tension de sortie du transistor à source contrôlée

Aller Composante CC de la tension grille-source = (Gain de tension*Courant électrique-Transconductance de court-circuit*Signal de sortie différentiel)*(1/Résistance finale+1/Résistance de l'enroulement primaire au secondaire)

Résistance d'entrée du circuit à base commune

Aller Résistance d'entrée = (Résistance de l'émetteur*(Résistance de sortie finie+Résistance à la charge))/(Résistance de sortie finie+(Résistance à la charge/(Gain de courant de base du collecteur+1)))

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Aller Résistance aux fuites = Résistance de l'enroulement secondaire au primaire+2*Résistance finie+2*Résistance finie*Transconductance primaire MOSFET*Résistance de l'enroulement secondaire au primaire

Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance d'entrée à petit signal

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/(Résistance d'entrée de petit signal+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur))^-1

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance de l'émetteur

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/((Résistance totale+Résistance de l'émetteur)*(Gain de courant de base du collecteur+1)))^-1

Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Transconductance dans un amplificateur à source commune

Aller Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Résistance de l'émetteur dans l'amplificateur à base commune

Aller Résistance de l'émetteur = Tension d'entrée/Courant de l'émetteur

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Tension de charge de l'amplificateur CS

Aller Tension de charge = Gain de tension*Tension d'entrée

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Formule

Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Qu'est-ce que MOSFET et son application?

Le MOSFET est utilisé pour commuter ou amplifier des signaux. La capacité de changer la conductivité avec la quantité de tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Les MOSFET sont maintenant encore plus courants que les BJT (transistors à jonction bipolaire) dans les circuits numériques et analogiques.

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