Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком Калькулятор

✖Параметр крутизны представляет собой произведение параметра крутизны процесса и соотношения сторон транзистора (W/L).ⓘ Параметр крутизны [K_n]			+10% -10%
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [V_ox]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_t]			+10% -10%
✖Напряжение между затвором и истоком — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение между затвором и истоком [V_gs]			+10% -10%

✖Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком [i_d]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Формула

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Пример

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF PDF Image

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.
Параметр крутизны - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр крутизны представляет собой произведение параметра крутизны процесса и соотношения сторон транзистора (W/L).
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Напряжение между затвором и истоком - (Измеряется в вольт) - Напряжение между затвором и истоком — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны: 2.95 Миллиампер на квадратный вольт --> 0.00295 Ампер на квадратный вольт (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение на оксиде: 3.775 вольт --> 3.775 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение между затвором и истоком: 3.34 вольт --> 3.34 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Оценка ... ...

i_d = 0.017489075

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.017489075 Ампер -->17.489075 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

17.489075 ≈ 17.48907 Миллиампер <-- Ток стока

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Прахалад Сингх

Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур

Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

< 18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение

Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала

Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора

Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))

Параметр крутизны МОП-транзистора

Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Ток стока транзистора

Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу

Общее мгновенное напряжение стока

Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Крутизна транзисторных усилителей

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением

Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Входное сопротивление схемы с общим затвором

Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Испытательный ток транзисторного усилителя

Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление

Коэффициент усиления постоянного тока усилителя

Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток

Вход усилителя транзисторного усилителя

Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

< 18 CV-действия усилителей общего каскада Калькуляторы

Выходное напряжение транзистора с управляемым источником

Идти Компонент постоянного тока от затвора к напряжению источника = (Усиление напряжения*Электрический ток-Транспроводимость короткого замыкания*Дифференциальный выходной сигнал)*(1/Последнее сопротивление+1/Сопротивление первичной обмотки во вторичной)

Входное сопротивление цепи с общей базой

Идти Входное сопротивление = (Сопротивление эмиттера*(Конечное выходное сопротивление+Сопротивление нагрузки))/(Конечное выходное сопротивление+(Сопротивление нагрузки/(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)))

Выходное сопротивление на другом стоке транзистора с управляемым истоком

Идти Сопротивление дренажу = Сопротивление вторичной обмотки в первичной+2*Конечное сопротивление+2*Конечное сопротивление*Первичная крутизна МОП-транзистора*Сопротивление вторичной обмотки в первичной

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером при входном сопротивлении слабого сигнала

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/(Малое входное сопротивление сигнала+(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)*Сопротивление эмиттера))^-1

Выходное сопротивление усилителя CE с эмиттерной дегенерацией

Идти Сопротивление дренажу = Конечное выходное сопротивление+(Первичная крутизна МОП-транзистора*Конечное выходное сопротивление)*(1/Сопротивление эмиттера+1/Малое входное сопротивление сигнала)

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером при заданном сопротивлении эмиттера

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/((Общее сопротивление+Сопротивление эмиттера)*(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)))^-1

Выходное сопротивление усилителя CS с сопротивлением источника

Идти Сопротивление дренажу = Конечное выходное сопротивление+Источник сопротивления+(Первичная крутизна МОП-транзистора*Конечное выходное сопротивление*Источник сопротивления)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Крутизна усилителя с общим истоком

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Частота единичного усиления*(Ворота к емкости источника+Емкостной вентиль для стока)

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/Малое входное сопротивление сигнала)^-1

Входное сопротивление усилителя с общей базой

Идти Входное сопротивление = (1/Сопротивление эмиттера+1/Малое входное сопротивление сигнала)^(-1)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Основное напряжение в усилителе с общим эмиттером

Идти Основное напряжение компонента = Входное сопротивление*Базовый ток

Напряжение нагрузки усилителя CS

Идти Напряжение нагрузки = Усиление напряжения*Входное напряжение

Сопротивление эмиттера в усилителе с общей базой

Идти Сопротивление эмиттера = Входное напряжение/Ток эмиттера

Ток эмиттера усилителя с общей базой

Идти Ток эмиттера = Входное напряжение/Сопротивление эмиттера

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком формула

Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Что такое MOSFET и его применение?

MOSFET используется для переключения или усиления сигналов. Возможность изменения проводимости в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. MOSFET теперь даже более распространены, чем BJT (биполярные переходные транзисторы) в цифровых и аналоговых схемах.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!