Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET Calculatrice

✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖La charge d'électron dans le canal fait référence à la quantité de charge portée par un électron dans la bande de conduction du matériau semi-conducteur utilisé dans le dispositif.ⓘ Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET [Q_e]

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Formule

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Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET

Formule

`"Q"_{"e"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"*"V"_{"eff"}`

Exemple

`"1.598pC"="940μF"*"10μm"*"100μm"*"1.7V"`

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Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Charge d'électrons dans le canal - (Mesuré en Coulomb) - La charge d'électron dans le canal fait référence à la quantité de charge portée par un électron dans la bande de conduction du matériau semi-conducteur utilisé dans le dispositif.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité d'oxyde: 940 microfarades --> 0.00094 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 100 Micromètre --> 0.0001 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

Évaluer ... ...

Q_e = 1.598E-12

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.598E-12 Coulomb -->1.598 picocoulomb (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.598 picocoulomb <-- Charge d'électrons dans le canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET

Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace

Déphasage dans le circuit RC de sortie

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))

Fréquence critique inférieure du Mosfet

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)

Sortie Miller Capacité Mosfet

Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Capacité de chevauchement du MOSFET

Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement

Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET

Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)

Déphasage dans le circuit RC d'entrée

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)

Réactance capacitive du Mosfet

Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)

Capacité Miller du Mosfet

Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)

Fréquence critique du Mosfet

Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)

Atténuation du circuit RC

Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET Formule

Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

Expliquez l'ensemble du processus de la région de canal du MOSFET formant un condensateur à plaques parallèles.

La grille et la région de canal du MOSFET forment un condensateur à plaques parallèles, la couche d'oxyde jouant le rôle de diélectrique du condensateur. La tension de grille positive provoque l'accumulation d'une charge positive sur la plaque supérieure du condensateur (l'électrode de grille). La charge négative correspondante sur la plaque inférieure est formée par les électrons dans le canal induit. Un champ électrique se développe donc dans le sens vertical. C'est ce champ qui contrôle la quantité de charge dans le canal, et donc il détermine la conductivité du canal et, à son tour, le courant qui passera à travers le canal lorsqu'une tension est appliquée.

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