Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET calcolatrice

✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.ⓘ Tensione effettiva [V_eff]			+10% -10%

✖La carica elettronica nel canale si riferisce alla quantità di carica trasportata da un elettrone nella banda di conduzione del materiale semiconduttore utilizzato nel dispositivo.ⓘ Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET [Q_e]

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Formula

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Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Formula

`"Q"_{"e"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"*"V"_{"eff"}`

Esempio

`"1.598pC"="940μF"*"10μm"*"100μm"*"1.7V"`

Calcolatrice

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Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Carica elettronica nel canale - (Misurato in Coulomb) - La carica elettronica nel canale si riferisce alla quantità di carica trasportata da un elettrone nella banda di conduzione del materiale semiconduttore utilizzato nel dispositivo.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

Valutare ... ...

Q_e = 1.598E-12

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.598E-12 Coulomb -->1.598 Picocoulomb (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.598 Picocoulomb <-- Carica elettronica nel canale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET Formula

Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

Spiegare l'intero processo della regione del canale del MOSFET che forma un condensatore a piastre parallele.

Il gate e la regione del canale del MOSFET formano un condensatore a piastre parallele, con lo strato di ossido che funge da dielettrico del condensatore. La tensione di gate positiva provoca l'accumulo di una carica positiva sulla piastra superiore del condensatore (l'elettrodo di gate). La corrispondente carica negativa sulla piastra inferiore è formata dagli elettroni nel canale indotto. Si sviluppa così un campo elettrico in direzione verticale. È questo campo che controlla la quantità di carica nel canale e quindi determina la conduttività del canale e, a sua volta, la corrente che fluirà attraverso il canale quando viene applicata una tensione.

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