Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Rekenmachine

✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.ⓘ Effectieve spanning [V_eff]			+10% -10%

✖Electron Charge in Channel verwijst naar de hoeveelheid lading die wordt gedragen door een elektron in de geleidingsband van het halfgeleidermateriaal dat in het apparaat wordt gebruikt.ⓘ Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET [Q_e]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Formule

`"Q"_{"e"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"*"V"_{"eff"}`

Voorbeeld

`"1.598pC"="940μF"*"10μm"*"100μm"*"1.7V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Elektronenlading in kanaal - (Gemeten in Coulomb) - Electron Charge in Channel verwijst naar de hoeveelheid lading die wordt gedragen door een elektron in de geleidingsband van het halfgeleidermateriaal dat in het apparaat wordt gebruikt.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie hier)
Effectieve spanning: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

Evalueren ... ...

Q_e = 1.598E-12

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.598E-12 Coulomb -->1.598 Picocoulomb (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.598 Picocoulomb <-- Elektronenlading in kanaal

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's

Gaan Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte

Overlapcapaciteit van MOSFET

Gaan Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte

Faseverschuiving in ingangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/Ingangsweerstand)

Kritieke frequentie in RC-circuit met hoge frequentie-ingang

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*Ingangsweerstand*Miller-capaciteit)

Capacitieve reactantie van Mosfet

Gaan Capacitieve reactantie = 1/(2*pi*Frequentie*Capaciteit)

Miller-capaciteit van Mosfet

Gaan Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*(Spanningsversterking+1)

Kritische frequentie van Mosfet

Gaan Kritische frequentie in decibels = 10*log10(Kritische frequentie)

Verzwakking van RC-circuit

Gaan Verzwakking = Basisspanning/Ingangsspanning

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Formule

Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

Verklaar het hele proces van het kanaalgebied van de MOSFET dat een condensator met parallelle platen vormt.

De poort en het kanaalgebied van de MOSFET vormen een condensator met parallelle platen, waarbij de oxidelaag fungeert als het diëlektricum van de condensator. De positieve poortspanning zorgt ervoor dat een positieve lading zich ophoopt op de bovenplaat van de condensator (de poortelektrode). De overeenkomstige negatieve lading op de bodemplaat wordt gevormd door de elektronen in het geïnduceerde kanaal. Er ontstaat dus een elektrisch veld in verticale richting. Het is dit veld dat de hoeveelheid lading in het kanaal regelt, en dus bepaalt het de kanaalgeleiding en, op zijn beurt, de stroom die door het kanaal zal stromen wanneer een spanning wordt aangelegd.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!