Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET Taschenrechner

✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.ⓘ Kanalbreite [W_c]			+10% -10%
✖Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Kanallänge [L]			+10% -10%
✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_eff]			+10% -10%

✖Die Elektronenladung im Kanal bezieht sich auf die Ladungsmenge, die ein Elektron im Leitungsband des im Gerät verwendeten Halbleitermaterials trägt.ⓘ Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET [Q_e]

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Formel

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Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET

Formel

`"Q"_{"e"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"*"V"_{"eff"}`

Beispiel

`"1.598pC"="940μF"*"10μm"*"100μm"*"1.7V"`

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Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Elektronenladung im Kanal - (Gemessen in Coulomb) - Die Elektronenladung im Kanal bezieht sich auf die Ladungsmenge, die ein Elektron im Leitungsband des im Gerät verwendeten Halbleitermaterials trägt.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Oxidkapazität: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kanalbreite: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kanallänge: 100 Mikrometer --> 0.0001 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

Auswerten ... ...

Q_e = 1.598E-12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.598E-12 Coulomb -->1.598 Pikocoulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.598 Pikocoulomb <-- Elektronenladung im Kanal

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitwert des Kanals von MOSFETs

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid

Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET

Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))

Untere kritische Frequenz des Mosfet

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)

Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET

Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)

Überlappungskapazität des MOSFET

Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)

Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs

Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

Kapazitive Reaktanz von Mosfet

Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)

Miller-Kapazität von Mosfet

Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)

Kritische Frequenz von Mosfet

Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)

Dämpfung des RC-Schaltkreises

Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET Formel

Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

Erklären Sie den gesamten Prozess des Kanalbereichs des MOSFET, der einen Parallelplattenkondensator bildet.

Das Gate und der Kanalbereich des MOSFET bilden einen Parallelplattenkondensator, wobei die Oxidschicht als Kondensatordielektrikum fungiert. Die positive Gate-Spannung bewirkt, dass sich eine positive Ladung auf der oberen Platte des Kondensators (der Gate-Elektrode) ansammelt. Die entsprechende negative Ladung auf der Bodenplatte wird von den Elektronen im induzierten Kanal gebildet. In vertikaler Richtung entsteht somit ein elektrisches Feld. Dieses Feld steuert die Ladungsmenge im Kanal und bestimmt somit die Kanalleitfähigkeit und damit den Strom, der beim Anlegen einer Spannung durch den Kanal fließt.

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