Capacité Miller du Mosfet Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Capacité de Miller - (Mesuré en Farad) - La capacité Miller est la capacité d'entrée équivalente d'un amplificateur MOSFET en raison de l'effet Miller.
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
Gain de tension - Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Gain de tension: 0.026 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cin = Cgd*(Av+1) --> 7E-06*(0.026+1)
Évaluer ... ...
Cin = 7.182E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
7.182E-06 Farad -->7.182 microfarades (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
7.182 microfarades <-- Capacité de Miller
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET
​ Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde
Fréquence de transition du MOSFET
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET
​ Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Déphasage dans le circuit RC de sortie
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))
Fréquence critique inférieure du Mosfet
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)
Sortie Miller Capacité Mosfet
​ Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
Déphasage dans le circuit RC d'entrée
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)
Réactance capacitive du Mosfet
​ Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Capacité Miller du Mosfet
​ Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Fréquence critique du Mosfet
​ Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)
Atténuation du circuit RC
​ Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Capacité Miller du Mosfet Formule

Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
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