Calculatrice A à Z
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Caractéristiques du MOSFET
Facteur/Gain d'amplification
Rapport de réjection en mode commun (CMRR)
Résistance
Tension
Transconductance
Transistors MOS
✖
La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
ⓘ
Capacité de vidange de porte [C
gd
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
+10%
-10%
✖
Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).
ⓘ
Gain de tension [A
v
]
+10%
-10%
✖
La capacité Miller est la capacité d'entrée équivalente d'un amplificateur MOSFET en raison de l'effet Miller.
ⓘ
Capacité Miller du Mosfet [C
in
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Capacité Miller du Mosfet
Formule
`"C"_{"in"} = "C"_{"gd"}*("A"_{"v"}+1)`
Exemple
`"7.182μF"="7μF"*("0.026"+1)`
Calculatrice
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Télécharger MOSFET Formule PDF
Capacité Miller du Mosfet Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité de Miller
=
Capacité de vidange de porte
*(
Gain de tension
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Capacité de Miller
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité Miller est la capacité d'entrée équivalente d'un amplificateur MOSFET en raison de l'effet Miller.
Capacité de vidange de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
Gain de tension
- Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de vidange de porte:
7 microfarades --> 7E-06 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
Gain de tension:
0.026 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
C
in
= C
gd
*(A
v
+1) -->
7E-06*(0.026+1)
Évaluer ... ...
C
in
= 7.182E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
7.182E-06 Farad -->7.182 microfarades
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
7.182 microfarades
<--
Capacité de Miller
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence
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Capacité Miller du Mosfet
Crédits
Créé par
Suma Madhuri
Université VIT
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore
(VIT Velloré)
,
Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!
<
15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices
Conductance du canal des MOSFET
Aller
Conductance du canal
=
Mobilité des électrons à la surface du canal
*
Capacité d'oxyde
*(
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*
Tension aux bornes de l'oxyde
Fréquence de transition du MOSFET
Aller
Fréquence de transition
=
Transconductance
/(2*
pi
*(
Capacité de la porte source
+
Capacité de vidange de porte
))
Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET
Aller
Charge d'électrons dans le canal
=
Capacité d'oxyde
*
Largeur de canal
*
Longueur du canal
*
Tension efficace
Déphasage dans le circuit RC de sortie
Aller
Déphasage
=
arctan
(
Réactance capacitive
/(
Résistance
+
Résistance à la charge
))
Fréquence critique inférieure du Mosfet
Aller
Fréquence de coin
= 1/(2*
pi
*(
Résistance
+
Résistance d'entrée
)*
Capacitance
)
Sortie Miller Capacité Mosfet
Aller
Capacité de sortie Miller
=
Capacité de vidange de porte
*((
Gain de tension
+1)/
Gain de tension
)
Largeur du canal porte à source du MOSFET
Aller
Largeur de canal
=
Capacité de chevauchement
/(
Capacité d'oxyde
*
Longueur de chevauchement
)
Capacité de chevauchement du MOSFET
Aller
Capacité de chevauchement
=
Largeur de canal
*
Capacité d'oxyde
*
Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
Aller
Capacité du canal de porte
=
Capacité d'oxyde
*
Largeur de canal
*
Longueur du canal
Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence
Aller
Fréquence de coin
= 1/(2*
pi
*
Résistance d'entrée
*
Capacité de Miller
)
Déphasage dans le circuit RC d'entrée
Aller
Déphasage
=
arctan
(
Réactance capacitive
/
Résistance d'entrée
)
Réactance capacitive du Mosfet
Aller
Réactance capacitive
= 1/(2*
pi
*
Fréquence
*
Capacitance
)
Capacité Miller du Mosfet
Aller
Capacité de Miller
=
Capacité de vidange de porte
*(
Gain de tension
+1)
Fréquence critique du Mosfet
Aller
Fréquence critique en décibels
= 10*
log10
(
Fréquence critique
)
Atténuation du circuit RC
Aller
Atténuation
=
Tension de base
/
Tension d'entrée
Capacité Miller du Mosfet Formule
Capacité de Miller
=
Capacité de vidange de porte
*(
Gain de tension
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
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