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Capacitância de Miller do Mosfet Calculadora
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Transistor MOS
✖
A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
ⓘ
Capacitância Gate-Dreno [C
gd
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
ⓘ
Ganho de tensão [A
v
]
+10%
-10%
✖
Capacitância Miller é a capacitância de entrada equivalente de um amplificador MOSFET devido ao efeito Miller.
ⓘ
Capacitância de Miller do Mosfet [C
in
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
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Degraus
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Fórmula
✖
Capacitância de Miller do Mosfet
Fórmula
`"C"_{"in"} = "C"_{"gd"}*("A"_{"v"}+1)`
Exemplo
`"7.182μF"="7μF"*("0.026"+1)`
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Capacitância de Miller do Mosfet Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de Miller
-
(Medido em Farad)
- Capacitância Miller é a capacitância de entrada equivalente de um amplificador MOSFET devido ao efeito Miller.
Capacitância Gate-Dreno
-
(Medido em Farad)
- A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
Ganho de tensão
- O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância Gate-Dreno:
7 Microfarad --> 7E-06 Farad
(Verifique a conversão
aqui
)
Ganho de tensão:
0.026 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
C
in
= C
gd
*(A
v
+1) -->
7E-06*(0.026+1)
Avaliando ... ...
C
in
= 7.182E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
7.182E-06 Farad -->7.182 Microfarad
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
7.182 Microfarad
<--
Capacitância de Miller
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
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Capacitância de Miller do Mosfet
Créditos
Criado por
Suma Madhuri
Universidade VIT
(VITA)
,
Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!
<
15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras
Condutância do Canal de MOSFETs
Vai
Condutância do Canal
=
Mobilidade de elétrons na superfície do canal
*
Capacitância de Óxido
*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*
Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
Vai
Frequência de transição
=
Transcondutância
/(2*
pi
*(
Capacitância da porta de origem
+
Capacitância Gate-Dreno
))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
Vai
Carga do Elétron no Canal
=
Capacitância de Óxido
*
Largura de banda
*
Comprimento do canal
*
Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
Vai
Frequência de canto
= 1/(2*
pi
*(
Resistência
+
Resistência de entrada
)*
Capacitância
)
Mudança de fase no circuito RC de saída
Vai
Mudança de fase
=
arctan
(
Reatância capacitiva
/(
Resistência
+
Resistência de carga
))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
Vai
Largura de banda
=
Capacitância de sobreposição
/(
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
Vai
Capacitância de sobreposição
=
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
Vai
Capacitância do canal de porta
=
Capacitância de Óxido
*
Largura de banda
*
Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
Vai
Capacitância Miller de saída
=
Capacitância Gate-Dreno
*((
Ganho de tensão
+1)/
Ganho de tensão
)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
Vai
Frequência de canto
= 1/(2*
pi
*
Resistência de entrada
*
Capacitância de Miller
)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
Vai
Mudança de fase
=
arctan
(
Reatância capacitiva
/
Resistência de entrada
)
Reatância capacitiva do Mosfet
Vai
Reatância capacitiva
= 1/(2*
pi
*
Frequência
*
Capacitância
)
Capacitância de Miller do Mosfet
Vai
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
Frequência Crítica do Mosfet
Vai
Frequência Crítica em decibéis
= 10*
log10
(
Frequência Crítica
)
Atenuação do Circuito RC
Vai
Atenuação
=
Tensão Base
/
Tensão de entrada
Capacitância de Miller do Mosfet Fórmula
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
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