Miller-capaciteit van Mosfet Rekenmachine

✖Gate-drain-capaciteit is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en drain-elektroden van een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Gate-drain-capaciteit [C_gd]			+10% -10%
✖Spanningsversterking is een maat voor de versterking van een elektrisch signaal door een versterker. Het is de verhouding tussen de uitgangsspanning en de ingangsspanning van de schakeling, uitgedrukt in decibel (dB).ⓘ Spanningsversterking [A_v]			+10% -10%

✖Miller-capaciteit is de equivalente ingangscapaciteit van een MOSFET-versterker vanwege het Miller-effect.ⓘ Miller-capaciteit van Mosfet [C_in]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Miller-capaciteit van Mosfet

Formule

`"C"_{"in"} = "C"_{"gd"}*("A"_{"v"}+1)`

Voorbeeld

`"7.182μF"="7μF"*("0.026"+1)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Miller-capaciteit van Mosfet Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*(Spanningsversterking+1)
C_in = C_gd*(A_v+1)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Miller-capaciteit - (Gemeten in Farad) - Miller-capaciteit is de equivalente ingangscapaciteit van een MOSFET-versterker vanwege het Miller-effect.
Gate-drain-capaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate-drain-capaciteit is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en drain-elektroden van een veldeffecttransistor (FET).
Spanningsversterking - Spanningsversterking is een maat voor de versterking van een elektrisch signaal door een versterker. Het is de verhouding tussen de uitgangsspanning en de ingangsspanning van de schakeling, uitgedrukt in decibel (dB).

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gate-drain-capaciteit: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)
Spanningsversterking: 0.026 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_in = C_gd*(A_v+1) --> 7E-06*(0.026+1)

Evalueren ... ...

C_in = 7.182E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

7.182E-06 Farad -->7.182 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

7.182 Microfarad <-- Miller-capaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Miller-capaciteit van Mosfet

Credits

Gemaakt door Suma Madhuri

VIT Universiteit (VIT), Chennai

Suma Madhuri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)