Capacità Miller del Mosfet calcolatrice

✖La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità di gate-drain [C_gd]			+10% -10%
✖Il guadagno di tensione è una misura dell'amplificazione di un segnale elettrico da parte di un amplificatore. È il rapporto tra la tensione di uscita e la tensione di ingresso del circuito, espresso in decibel (dB).ⓘ Guadagno di tensione [A_v]			+10% -10%

✖La capacità Miller è la capacità di ingresso equivalente di un amplificatore MOSFET dovuta all'effetto Miller.ⓘ Capacità Miller del Mosfet [C_in]

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Formula

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Capacità Miller del Mosfet

Formula

`"C"_{"in"} = "C"_{"gd"}*("A"_{"v"}+1)`

Esempio

`"7.182μF"="7μF"*("0.026"+1)`

Calcolatrice

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Capacità Miller del Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)
C_in = C_gd*(A_v+1)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di Miller - (Misurato in Farad) - La capacità Miller è la capacità di ingresso equivalente di un amplificatore MOSFET dovuta all'effetto Miller.
Capacità di gate-drain - (Misurato in Farad) - La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).
Guadagno di tensione - Il guadagno di tensione è una misura dell'amplificazione di un segnale elettrico da parte di un amplificatore. È il rapporto tra la tensione di uscita e la tensione di ingresso del circuito, espresso in decibel (dB).

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di gate-drain: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Guadagno di tensione: 0.026 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_in = C_gd*(A_v+1) --> 7E-06*(0.026+1)

Valutare ... ...

C_in = 7.182E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.182E-06 Farad -->7.182 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

7.182 Microfarad <-- Capacità di Miller

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Capacità Miller del Mosfet Formula

Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)
C_in = C_gd*(A_v+1)

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