Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant Calculatrice

✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖Le gain de courant forcé de l'émetteur commun est le rapport entre le courant du collecteur et le courant de base en mode saturation.ⓘ Gain de courant d'émetteur commun forcé [β_forced]			+10% -10%

✖La tension de décalage d'entrée est la tension qui doit être appliquée entre les deux bornes d'entrée de l'ampli opérationnel pour obtenir zéro volt à la sortie.ⓘ Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant [V_os]

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Formule

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Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant

Formule

`"V"_{"os"} = -(2*"V"_{"t"})/"β"_{"forced"}`

Exemple

`"-3.545455V"=-(2*"19.5V")/"11"`

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Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de décalage d'entrée = -(2*Tension de seuil)/Gain de courant d'émetteur commun forcé
V_os = -(2*V_t)/β_forced
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension de décalage d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension de décalage d'entrée est la tension qui doit être appliquée entre les deux bornes d'entrée de l'ampli opérationnel pour obtenir zéro volt à la sortie.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Gain de courant d'émetteur commun forcé - Le gain de courant forcé de l'émetteur commun est le rapport entre le courant du collecteur et le courant de base en mode saturation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Aucune conversion requise
Gain de courant d'émetteur commun forcé: 11 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_os = -(2*V_t)/β_forced --> -(2*19.5)/11

Évaluer ... ...

V_os = -3.54545454545455

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-3.54545454545455 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-3.54545454545455 ≈ -3.545455 Volt <-- Tension de décalage d'entrée

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 4 Décalage CC Calculatrices

Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle

Aller Courant total = 1/2*(Paramètre de transconductance du processus*Ratio d'aspect)*(Tension aux bornes de la diode-Tension de seuil)^2

Tension de sortie de l'amplificateur de tension

Aller Tension de sortie = Tension source-(Courant de vidange*Résistance à la charge)

Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant

Aller Tension de décalage d'entrée = -(2*Tension de seuil)/Gain de courant d'émetteur commun forcé

Tension d'entrée différentielle maximale du MOSFET en fonction de la tension de surcharge

Aller Signal d'entrée différentiel = sqrt(2)*Tension efficace

Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant Formule

Tension de décalage d'entrée = -(2*Tension de seuil)/Gain de courant d'émetteur commun forcé
V_os = -(2*V_t)/β_forced

Qu'est-ce qui cause la tension de décalage?

La cause de la tension de décalage d'entrée est bien connue - elle est due à l'inadéquation inhérente des transistors d'entrée et des composants lors de la fabrication de la puce en silicium, et aux contraintes exercées sur la puce pendant le processus de conditionnement (contribution mineure).

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