Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast Taschenrechner

✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Die erzwungene Stromverstärkung am gemeinsamen Emitter ist das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom im Sättigungsmodus.ⓘ Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung [β_forced]			+10% -10%

✖Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.ⓘ Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast [V_os]

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Formel

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Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast

Formel

`"V"_{"os"} = -(2*"V"_{"t"})/"β"_{"forced"}`

Beispiel

`"-3.545455V"=-(2*"19.5V")/"11"`

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Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangs-Offsetspannung = -(2*Grenzspannung)/Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung
V_os = -(2*V_t)/β_forced
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangs-Offsetspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung - Die erzwungene Stromverstärkung am gemeinsamen Emitter ist das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom im Sättigungsmodus.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grenzspannung: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung: 11 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_os = -(2*V_t)/β_forced --> -(2*19.5)/11

Auswerten ... ...

V_os = -3.54545454545455

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-3.54545454545455 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-3.54545454545455 ≈ -3.545455 Volt <-- Eingangs-Offsetspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Strom bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

Gehen Gesamtstrom = 1/2*(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis)*(Spannung an der Diode-Grenzspannung)^2

Ausgangsspannung des Spannungsverstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Quellenspannung-(Stromverbrauch*Lastwiderstand)

Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast

Gehen Eingangs-Offsetspannung = -(2*Grenzspannung)/Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung

Maximale differentielle Eingangsspannung des MOSFET bei gegebener Übersteuerungsspannung

Gehen Differenzielles Eingangssignal = sqrt(2)*Effektive Spannung

Offsetspannung des MOSFET mit Stromspiegellast Formel

Eingangs-Offsetspannung = -(2*Grenzspannung)/Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung
V_os = -(2*V_t)/β_forced

Was verursacht Offsetspannung?

Die Ursache der Eingangsversatzspannung ist bekannt - sie beruht auf der inhärenten Fehlanpassung der Eingangstransistoren und -komponenten während der Herstellung des Siliziumchips und auf den während des Verpackungsprozesses auf den Chip ausgeübten Spannungen (geringer Beitrag).

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