Calculatrice A à Z
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Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS Calculatrice
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Sous-système de chemin de données de tableau
✖
Le nombre d'étages de l'oscillateur en anneau est défini comme le nombre d'inverseurs utilisés dans l'oscillateur en anneau CMOS.
ⓘ
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau [n]
+10%
-10%
✖
Le délai de propagation moyen est défini comme le temps moyen nécessaire au signal d'entrée pour se propager à travers l'onduleur.
ⓘ
Délai de propagation moyen [ζ
P
]
Attoseconde
Milliards d'années
centiseconde
Siècle
Cycle de 60 Hz AC
Cycle de CA
journée
Décennie
Décaseconde
déciseconde
Exaseconde
Femtoseconde
Gigaseconde
Hectoseconde
Heure
Kiloseconde
Mégaseconde
Microseconde
Millénaire
Million d'années
milliseconde
Minute
Mois
Nanoseconde
Pétaseconde
Picoseconde
Deuxième
Svedberg
Téraseconde
Mille ans
Semaine
An
Yoctoseconde
Yottasecond
Zeptoseconde
Zettaseconde
+10%
-10%
✖
La période d'oscillation de l'oscillateur en anneau CMOS est définie comme le temps nécessaire pour un cycle complet d'oscillation.
ⓘ
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS [T
osc
]
Attoseconde
Milliards d'années
centiseconde
Siècle
Cycle de 60 Hz AC
Cycle de CA
journée
Décennie
Décaseconde
déciseconde
Exaseconde
Femtoseconde
Gigaseconde
Hectoseconde
Heure
Kiloseconde
Mégaseconde
Microseconde
Millénaire
Million d'années
milliseconde
Minute
Mois
Nanoseconde
Pétaseconde
Picoseconde
Deuxième
Svedberg
Téraseconde
Mille ans
Semaine
An
Yoctoseconde
Yottasecond
Zeptoseconde
Zettaseconde
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
Formule
`"T"_{"osc"} = 2*"n"*"ζ"_{"P"}`
Exemple
`"0.0252ns"=2*"3"*"0.0042ns"`
Calculatrice
LaTeX
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👍
Télécharger Conception et applications CMOS Formule PDF
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Période d'oscillation
= 2*
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau
*
Délai de propagation moyen
T
osc
= 2*
n
*
ζ
P
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Période d'oscillation
-
(Mesuré en Deuxième)
- La période d'oscillation de l'oscillateur en anneau CMOS est définie comme le temps nécessaire pour un cycle complet d'oscillation.
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau
- Le nombre d'étages de l'oscillateur en anneau est défini comme le nombre d'inverseurs utilisés dans l'oscillateur en anneau CMOS.
Délai de propagation moyen
-
(Mesuré en Deuxième)
- Le délai de propagation moyen est défini comme le temps moyen nécessaire au signal d'entrée pour se propager à travers l'onduleur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau:
3 --> Aucune conversion requise
Délai de propagation moyen:
0.0042 Nanoseconde --> 4.2E-12 Deuxième
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
T
osc
= 2*n*ζ
P
-->
2*3*4.2E-12
Évaluer ... ...
T
osc
= 2.52E-11
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.52E-11 Deuxième -->0.0252 Nanoseconde
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
0.0252 Nanoseconde
<--
Période d'oscillation
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
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Onduleurs CMOS
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Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
<
17 Onduleurs CMOS Calculatrices
Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement
Aller
Temps de transition de faible à élevée de la sortie
= (
Capacité de charge
/(
Transconductance du PMOS
*(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))))*(((2*
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))/(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
)))+
ln
((4*(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))/
Tension d'alimentation
)-1))
Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse
Aller
Temps de transition de haut en bas de la sortie
= (
Capacité de charge
/(
Transconductance du NMOS
*(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
)))*((2*
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
/(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
))+
ln
((4*(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
)/
Tension d'alimentation
)-1))
Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS
Aller
Tension de sortie minimale de charge résistive
=
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))-
sqrt
((
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
)))^2-(2*
Tension d'alimentation
/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
)))
Tension d'entrée maximale CMOS
Aller
Tension d'entrée maximale CMOS
= (2*
Tension de sortie pour entrée maximale
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)-
Tension d'alimentation
+
Rapport de transconductance
*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/(1+
Rapport de transconductance
)
Tension de seuil CMOS
Aller
Tension de seuil
= (
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
+
sqrt
(1/
Rapport de transconductance
)*(
Tension d'alimentation
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)))/(1+
sqrt
(1/
Rapport de transconductance
))
Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS
Aller
Tension d'entrée minimale de charge résistive
=
Tension de seuil de polarisation nulle
+
sqrt
((8*
Tension d'alimentation
)/(3*
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))-(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))
Tension d'entrée minimale CMOS
Aller
Tension d'entrée minimale
= (
Tension d'alimentation
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)+
Rapport de transconductance
*(2*
Tension de sortie
+
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
))/(1+
Rapport de transconductance
)
Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS
Aller
Capacité de charge
=
Capacité de drain de grille du PMOS
+
Capacité de drain de grille du NMOS
+
Capacité de drainage en vrac du PMOS
+
Capacité de drainage en vrac du NMOS
+
Capacité interne
+
Capacité de porte
Énergie fournie par l'alimentation électrique
Aller
Énergie fournie par l'alimentation électrique
=
int
(
Tension d'alimentation
*
Courant de vidange instantané
*x,x,0,
Intervalle de charge du condensateur
)
Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
Aller
Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
=
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))
Délai de propagation moyen CMOS
Aller
Délai de propagation moyen
= (
Temps de transition de haut en bas de la sortie
+
Temps de transition de faible à élevée de la sortie
)/2
Dissipation de puissance moyenne CMOS
Aller
Dissipation de puissance moyenne
=
Capacité de charge
*(
Tension d'alimentation
)^2*
Fréquence
Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
Aller
Tension d'entrée maximale
= (3*
Tension d'alimentation
+2*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/8
Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique
Aller
Tension d'entrée minimale
= (5*
Tension d'alimentation
-2*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/8
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
Aller
Période d'oscillation
= 2*
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau
*
Délai de propagation moyen
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
Aller
Marge de bruit pour un signal élevé
=
Tension de sortie maximale
-
Tension d'entrée minimale
Rapport de transconductance CMOS
Aller
Rapport de transconductance
=
Transconductance du NMOS
/
Transconductance du PMOS
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS Formule
Période d'oscillation
= 2*
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau
*
Délai de propagation moyen
T
osc
= 2*
n
*
ζ
P
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