Tension de seuil CMOS Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Onduleurs CMOS

Caractéristiques de conception CMOS

Caractéristiques des circuits CMOS

Caractéristiques du retard CMOS

Caractéristiques temporelles CMOS

Mesures de puissance CMOS

Sous-système CMOS à usage spécial

Sous-système de chemin de données de tableau

✖Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle Le CMOS est défini comme la tension de seuil du NMOS lorsque la borne du substrat est à la tension de terre (0).ⓘ Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle [V_T0,n]			+10% -10%
✖Le rapport de transconductance CMOS est défini comme le rapport de transconductance du NMOS au PMOS.ⓘ Rapport de transconductance [K_r]			+10% -10%
✖La tension d'alimentation du CMOS est définie comme la tension d'alimentation fournie à la borne source du PMOS.ⓘ Tension d'alimentation [V_DD]			+10% -10%
✖Tension de seuil du PMOS sans polarisation corporelle Le CMOS est défini comme la tension de seuil du PMOS lorsque la borne du substrat est à la tension de terre (0).ⓘ Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle [V_T0,p]			+10% -10%

✖La tension de seuil du CMOS est définie comme la tension de grille minimale requise pour activer le CMOS.ⓘ Tension de seuil CMOS [V_th]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Tension de seuil CMOS

Formule

`"V"_{"th"} = ("V"_{"T0,n"}+sqrt(1/"K"_{"r"})*("V"_{"DD"}+("V"_{"T0,p"})))/(1+sqrt(1/"K"_{"r"}))`

Exemple

`"1.374852V"=("0.6V"+sqrt(1/"2.5")*("3.3V"+("-0.7V")))/(1+sqrt(1/"2.5"))`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Conception et applications CMOS Formule PDF PDF Image

Tension de seuil CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil = (Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle+sqrt(1/Rapport de transconductance)*(Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)))/(1+sqrt(1/Rapport de transconductance))
V_th = (V_T0,n+sqrt(1/K_r)*(V_DD+(V_T0,p)))/(1+sqrt(1/K_r))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du CMOS est définie comme la tension de grille minimale requise pour activer le CMOS.
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle - (Mesuré en Volt) - Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle Le CMOS est défini comme la tension de seuil du NMOS lorsque la borne du substrat est à la tension de terre (0).
Rapport de transconductance - Le rapport de transconductance CMOS est défini comme le rapport de transconductance du NMOS au PMOS.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation du CMOS est définie comme la tension d'alimentation fournie à la borne source du PMOS.
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle - (Mesuré en Volt) - Tension de seuil du PMOS sans polarisation corporelle Le CMOS est défini comme la tension de seuil du PMOS lorsque la borne du substrat est à la tension de terre (0).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Aucune conversion requise
Rapport de transconductance: 2.5 --> Aucune conversion requise
Tension d'alimentation: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Aucune conversion requise
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle: -0.7 Volt --> -0.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_th = (V_T0,n+sqrt(1/K_r)*(V_DD+(V_T0,p)))/(1+sqrt(1/K_r)) --> (0.6+sqrt(1/2.5)*(3.3+((-0.7))))/(1+sqrt(1/2.5))

Évaluer ... ...

V_th = 1.37485177344559

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.37485177344559 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.37485177344559 ≈ 1.374852 Volt <-- Tension de seuil

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Onduleurs CMOS » Tension de seuil CMOS

Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 17 Onduleurs CMOS Calculatrices

Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement

Aller Temps de transition de faible à élevée de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du PMOS*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))))*(((2*abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle)))+ln((4*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/Tension d'alimentation)-1))

Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

Aller Temps de transition de haut en bas de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1))

Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS

Aller Tension de sortie minimale de charge résistive = Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-sqrt((Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))^2-(2*Tension d'alimentation/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))

Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Tension d'entrée maximale CMOS = (2*Tension de sortie pour entrée maximale+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)-Tension d'alimentation+Rapport de transconductance*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/(1+Rapport de transconductance)

Tension de seuil CMOS

Aller Tension de seuil = (Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle+sqrt(1/Rapport de transconductance)*(Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)))/(1+sqrt(1/Rapport de transconductance))

Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale de charge résistive = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale = (Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)+Rapport de transconductance*(2*Tension de sortie+Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle))/(1+Rapport de transconductance)

Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Aller Capacité de charge = Capacité de drain de grille du PMOS+Capacité de drain de grille du NMOS+Capacité de drainage en vrac du PMOS+Capacité de drainage en vrac du NMOS+Capacité interne+Capacité de porte

Énergie fournie par l'alimentation électrique

Aller Énergie fournie par l'alimentation électrique = int(Tension d'alimentation*Courant de vidange instantané*x,x,0,Intervalle de charge du condensateur)

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Délai de propagation moyen CMOS

Aller Délai de propagation moyen = (Temps de transition de haut en bas de la sortie+Temps de transition de faible à élevée de la sortie)/2

Dissipation de puissance moyenne CMOS

Aller Dissipation de puissance moyenne = Capacité de charge*(Tension d'alimentation)^2*Fréquence

Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée maximale = (3*Tension d'alimentation+2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée minimale = (5*Tension d'alimentation-2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS

Aller Période d'oscillation = 2*Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau*Délai de propagation moyen

Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé

Aller Marge de bruit pour un signal élevé = Tension de sortie maximale-Tension d'entrée minimale

Rapport de transconductance CMOS

Aller Rapport de transconductance = Transconductance du NMOS/Transconductance du PMOS

Tension de seuil CMOS Formule

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!