Abschnürspannung des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung
Voff = Voff(d-s)-V(g-s)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Pinch-Off-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so schmal wird, dass er effektiv schließt und so jeden weiteren Stromfluss verhindert.
Abklemmen der Drain-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung in einem JFET ist die Spannung, bei der die Verarmungsbereiche der Gate-Übergänge aufeinandertreffen und den Kanal abklemmen, wodurch jeglicher weiterer Stromfluss verhindert wird.
Verstärkung zur Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Abklemmen der Drain-Source-Spannung: 68.16 Volt --> 68.16 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Verstärkung zur Quellenspannung: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Voff = Voff(d-s)-V(g-s) --> 68.16-0.0039
Auswerten ... ...
Voff = 68.1561
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
68.1561 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
68.1561 Volt <-- Pinch-Off-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET
​ Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))
Transkonduktanz von FET
​ Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)
Drain-Source-Spannung des FET
​ Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)
Drainstrom des FET
​ Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2
Gate-Source-Kapazität des FET
​ Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)
Gate-Substratkapazität des FET
​ Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)
Gate-Drain-Kapazität des FET
​ Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)
Abschnürspannung des FET
​ Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung
Spannungsverstärkung des FET
​ Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Abschnürspannung des FET Formel

Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung
Voff = Voff(d-s)-V(g-s)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!