Fréquence plasmatique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
fp = sqrt(([Charge-e]*ρo)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Cette formule utilise 3 Constantes, 1 Les fonctions, 2 Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[Mass-e] - Masse d'électron Valeur prise comme 9.10938356E-31
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Fréquence plasmatique - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence du plasma est la fréquence à laquelle la réponse d'un plasma est dominée par le mouvement des électrons libres, plutôt que par le mouvement plus lent des ions ou d'autres espèces dans le plasma.
Densité de charge électronique CC - (Mesuré en Coulomb par mètre cube) - La densité de charge électronique CC fait référence à la mesure de la densité d'électrons libres dans un matériau ou un milieu en état d'équilibre ou en condition CC (courant continu).
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Densité de charge électronique CC: 1E-10 Coulomb par mètre cube --> 1E-10 Coulomb par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
fp = sqrt(([Charge-e]*ρo)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum])) --> sqrt(([Charge-e]*1E-10)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Évaluer ... ...
fp = 1409740.13822234
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1409740.13822234 Radian par seconde --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1409740.13822234 1.4E+6 Radian par seconde <-- Fréquence plasmatique
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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20 Tube de faisceau Calculatrices

Tension micro-ondes dans l'espace du groupeur
​ Aller Tension micro-onde dans l'espace du groupeur = (Amplitude du signal/(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Temps de transit moyen))*(cos(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Saisie de l'heure)-cos(Fréquence angulaire de résonance+(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Distance d'écart entre le groupeur)/Vitesse de l'électron))
Puissance de sortie RF
​ Aller Puissance de sortie RF = Puissance d'entrée RF*exp(-2*Constante d'atténuation RF*Longueur du circuit RF)+int((Puissance RF générée/Longueur du circuit RF)*exp(-2*Constante d'atténuation RF*(Longueur du circuit RF-x)),x,0,Longueur du circuit RF)
Tension du répulsif
​ Aller Tension du répulsif = sqrt((8*Fréquence angulaire^2*Longueur de l'espace de dérive^2*Tension du petit faisceau)/((2*pi*Nombre d'oscillations)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tension du petit faisceau
Épuisement total pour le système WDM
​ Aller Épuisement total pour un système WDM = sum(x,2,Nombre de canaux,Coefficient de gain Raman*Puissance du canal*Longueur efficace/Zone efficace)
Perte de puissance moyenne dans le résonateur
​ Aller Perte de puissance moyenne dans le résonateur = (Résistance de surface du résonateur/2)*(int(((Valeur maximale de l'intensité magnétique tangentielle)^2)*x,x,0,Rayon du résonateur))
Fréquence plasmatique
​ Aller Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Énergie totale stockée dans le résonateur
​ Aller Énergie totale stockée dans le résonateur = int((Permittivité du milieu/2*Intensité du champ électrique^2)*x,x,0,Volume du résonateur)
Profondeur de la peau
​ Aller Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))
Densité totale de courant du faisceau d'électrons
​ Aller Densité totale de courant du faisceau d'électrons = -Densité de courant du faisceau CC+Perturbation instantanée du courant du faisceau RF
Fréquence porteuse dans la ligne spectrale
​ Aller Fréquence porteuse = Fréquence de la ligne spectrale-Nombre d'échantillons*Fréquence de répétition
Vitesse totale des électrons
​ Aller Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons
Fréquence plasma réduite
​ Aller Fréquence plasmatique réduite = Fréquence plasmatique*Facteur de réduction de la charge d'espace
Densité de charge totale
​ Aller Densité de charge totale = -Densité de charge électronique CC+Densité de charge RF instantanée
Puissance obtenue à partir de l'alimentation CC
​ Aller Alimentation CC = Puissance générée dans le circuit anodique/Efficacité électronique
Puissance générée dans le circuit anodique
​ Aller Puissance générée dans le circuit anodique = Alimentation CC*Efficacité électronique
Gain de tension maximum à la résonance
​ Aller Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance
Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire
​ Aller Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service
Perte de retour
​ Aller Perte de retour = -20*log10(Coefficient de reflexion)
Alimentation CA fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CA = (Tension*Actuel)/2
Alimentation CC fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CC = Tension*Actuel

Fréquence plasmatique Formule

Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
fp = sqrt(([Charge-e]*ρo)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Quelle est la densité plasmatique?

Le terme densité plasmatique fait référence à la concentration ou au nombre de particules de gaz ionisé dans un volume donné.

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