MOSFETs के चैनल का संचालन कैलकुलेटर

✖चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।ⓘ चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता [μ_s]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है।ⓘ ऑक्साइड भर में वोल्टेज [V_ox]			+10% -10%

✖चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।ⓘ MOSFETs के चैनल का संचालन [G]

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सूत्र

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MOSFETs के चैनल का संचालन

सूत्र

`"G" = "μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*"V"_{"ox"}`

उदाहरण

`"19.2888mS"="38m²/V*s"*"940μF"*("10μm"/"100μm")*"5.4V"`

कैलकुलेटर

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MOSFETs के चैनल का संचालन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

चैनल का संचालन - (में मापा गया सीमेंस) - चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।
ऑक्साइड भर में वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता: 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑक्साइड धारिता: 940 माइक्रोफ़ारड --> 0.00094 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 100 माइक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ऑक्साइड भर में वोल्टेज: 5.4 वोल्ट --> 5.4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

G = 0.0192888

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0192888 सीमेंस -->19.2888 मिलिसिएमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

19.2888 मिलिसिएमेंस <-- चैनल का संचालन

(गणना 00.008 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल कैलक्युलेटर्स

MOSFETs के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण

जाओ चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

आउटपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/(प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

मॉसफेट की कम क्रांतिक आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*(प्रतिरोध+इनपुट प्रतिरोध)*समाई)

आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस मॉसफेट

जाओ आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*((वोल्टेज बढ़ना+1)/वोल्टेज बढ़ना)

MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई

जाओ चैनल की चौड़ाई = ओवरलैप कैपेसिटेंस/(ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई)

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस

जाओ ओवरलैप कैपेसिटेंस = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई

MOSFETs के गेट और चैनल के बीच कुल समाई

जाओ गेट चैनल क्षमता = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई

उच्च आवृत्ति इनपुट आरसी सर्किट में महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*इनपुट प्रतिरोध*मिलर कैपेसिटेंस)

इनपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/इनपुट प्रतिरोध)

मॉसफेट का कैपेसिटिव रिएक्शन

जाओ कैपेसिटिव रिएक्शन = 1/(2*pi*आवृत्ति*समाई)

मॉसफेट की मिलर कैपेसिटेंस

जाओ मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*(वोल्टेज बढ़ना+1)

मोस्फ़ेट की महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ डेसिबल में क्रांतिक आवृत्ति = 10*log10(गंभीर आवृत्ति)

आरसी सर्किट का क्षीणन

जाओ क्षीणन = बेस वोल्टेज/इनपुट वोल्टेज

MOSFETs के चैनल का संचालन सूत्र

चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox

MOSFET में ट्रांसकंडक्टेंस का सूत्र क्या है?

विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइनों में एमओएसएफईटी प्रदर्शन को मान्य करने के लिए ट्रांसकंडक्टेंस एक महत्वपूर्ण परीक्षा है। यह सुनिश्चित करता है कि एक MOSFET ठीक से काम कर रहा है और इंजीनियरों को सबसे अच्छा चुनने में मदद करता है जब वोल्टेज लाभ उनके सर्किट डिजाइन के लिए एक प्रमुख युक्ति है।

MOSFETs के चैनल का संचालन की गणना कैसे करें?

MOSFETs के चैनल का संचालन के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। के रूप में & ऑक्साइड भर में वोल्टेज (V_ox), ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है। के रूप में डालें। कृपया MOSFETs के चैनल का संचालन गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFETs के चैनल का संचालन गणना

MOSFETs के चैनल का संचालन कैलकुलेटर, चैनल का संचालन की गणना करने के लिए Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFETs के चैनल का संचालन G को MOSFETs के चैनल का चालन, लागू वोल्टेज के माध्यम से चैनल के माध्यम से आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, वर्तमान में एक बार गणना की जा सकती है, बाहरी बिजली के क्षेत्र में सिस्टम पर लागू होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करने वाले आयनों की संख्या। । के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFETs के चैनल का संचालन गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4. आप और अधिक MOSFETs के चैनल का संचालन उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFETs के चैनल का संचालन क्या है?

MOSFETs के चैनल का संचालन MOSFETs के चैनल का चालन, लागू वोल्टेज के माध्यम से चैनल के माध्यम से आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, वर्तमान में एक बार गणना की जा सकती है, बाहरी बिजली के क्षेत्र में सिस्टम पर लागू होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करने वाले आयनों की संख्या। । है और इसे G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox या Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFETs के चैनल का संचालन की गणना कैसे करें?

MOSFETs के चैनल का संचालन को MOSFETs के चैनल का चालन, लागू वोल्टेज के माध्यम से चैनल के माध्यम से आयनिक धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, वर्तमान में एक बार गणना की जा सकती है, बाहरी बिजली के क्षेत्र में सिस्टम पर लागू होने पर प्रति यूनिट समय चैनल को पार करने वाले आयनों की संख्या। । Conductance of Channel = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFETs के चैनल का संचालन की गणना करने के लिए, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L) & ऑक्साइड भर में वोल्टेज (V_ox) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।, ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।, चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। & ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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