MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

✖चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖ओवरलैप लंबाई वह औसत दूरी है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित होने से पहले तय कर सकते हैं।ⓘ ओवरलैप लंबाई [L_ov]			+10% -10%

✖ओवरलैप कैपेसिटेंस उस कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है जो एक दूसरे के करीब दो प्रवाहकीय क्षेत्रों के बीच उत्पन्न होता है, लेकिन सीधे जुड़े नहीं होते हैं।ⓘ MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस [C_oc]

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सूत्र

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MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस

सूत्र

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

उदाहरण

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

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MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

ओवरलैप कैपेसिटेंस = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

ओवरलैप कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - ओवरलैप कैपेसिटेंस उस कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है जो एक दूसरे के करीब दो प्रवाहकीय क्षेत्रों के बीच उत्पन्न होता है, लेकिन सीधे जुड़े नहीं होते हैं।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
ओवरलैप लंबाई - (में मापा गया मीटर) - ओवरलैप लंबाई वह औसत दूरी है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित होने से पहले तय कर सकते हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ऑक्साइड धारिता: 940 माइक्रोफ़ारड --> 0.00094 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ओवरलैप लंबाई: 40.6 माइक्रोमीटर --> 4.06E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_oc = 3.8164E-13

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

3.8164E-13 फैरड -->3.8164E-07 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 माइक्रोफ़ारड <-- ओवरलैप कैपेसिटेंस

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल कैलक्युलेटर्स

MOSFETs के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण

जाओ चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

आउटपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/(प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

मॉसफेट की कम क्रांतिक आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*(प्रतिरोध+इनपुट प्रतिरोध)*समाई)

आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस मॉसफेट

जाओ आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*((वोल्टेज बढ़ना+1)/वोल्टेज बढ़ना)

MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई

जाओ चैनल की चौड़ाई = ओवरलैप कैपेसिटेंस/(ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई)

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस

जाओ ओवरलैप कैपेसिटेंस = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई

MOSFETs के गेट और चैनल के बीच कुल समाई

जाओ गेट चैनल क्षमता = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई

उच्च आवृत्ति इनपुट आरसी सर्किट में महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*इनपुट प्रतिरोध*मिलर कैपेसिटेंस)

इनपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/इनपुट प्रतिरोध)

मॉसफेट का कैपेसिटिव रिएक्शन

जाओ कैपेसिटिव रिएक्शन = 1/(2*pi*आवृत्ति*समाई)

मॉसफेट की मिलर कैपेसिटेंस

जाओ मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*(वोल्टेज बढ़ना+1)

मोस्फ़ेट की महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ डेसिबल में क्रांतिक आवृत्ति = 10*log10(गंभीर आवृत्ति)

आरसी सर्किट का क्षीणन

जाओ क्षीणन = बेस वोल्टेज/इनपुट वोल्टेज

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस सूत्र

ओवरलैप कैपेसिटेंस = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

कैसे MOSFET संधारित्र के रूप में कार्य करता है?

सीधे शब्दों में कहें तो MOSFET का DRAIN और SOURS इंसुलेटेड गेट की वजह से संधारित्र में प्रवाहकीय प्लेटों की तरह काम करता है। MOSFETs इलेक्ट्रोकोनडिक्टिव उपकरणों के रूप में व्यवहार करते हैं, जो वोल्टेज-नियंत्रित समाई के बराबर है।

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में & ओवरलैप लंबाई (L_ov), ओवरलैप लंबाई वह औसत दूरी है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित होने से पहले तय कर सकते हैं। के रूप में डालें। कृपया MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस गणना

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Overlap Capacitance = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई का उपयोग करता है। MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस C_oc को MOSFET सूत्र के ओवरलैप कैपेसिटेंस को चौड़ाई के समानुपाती के रूप में परिभाषित किया गया है, यह औसत दूरी के कारण होने वाली कैपेसिटेंस है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित करने से पहले कवर कर सकते हैं। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.38164 = 1E-05*0.00094*4.06E-05. आप और अधिक MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस क्या है?

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस MOSFET सूत्र के ओवरलैप कैपेसिटेंस को चौड़ाई के समानुपाती के रूप में परिभाषित किया गया है, यह औसत दूरी के कारण होने वाली कैपेसिटेंस है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित करने से पहले कवर कर सकते हैं। है और इसे C_oc = W_c*C_ox*L_ov या Overlap Capacitance = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस को MOSFET सूत्र के ओवरलैप कैपेसिटेंस को चौड़ाई के समानुपाती के रूप में परिभाषित किया गया है, यह औसत दूरी के कारण होने वाली कैपेसिटेंस है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित करने से पहले कवर कर सकते हैं। Overlap Capacitance = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई C_oc = W_c*C_ox*L_ov के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको चैनल की चौड़ाई (W_c), ऑक्साइड धारिता (C_ox) & ओवरलैप लंबाई (L_ov) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।, ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। & ओवरलैप लंबाई वह औसत दूरी है जिसे अतिरिक्त वाहक पुनः संयोजित होने से पहले तय कर सकते हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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