पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज कैलकुलेटर

✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड क्षमता [C_ox]			+10% -10%
✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।ⓘ गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%

✖व्युत्क्रम परत चार्ज अर्धचालक और इन्सुलेट ऑक्साइड परत के बीच इंटरफेस पर आवेश वाहकों के संचय को संदर्भित करता है जब गेट इलेक्ट्रोड पर वोल्टेज लगाया जाता है।ⓘ पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज [Q_p]

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सूत्र

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पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज

सूत्र

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})`

उदाहरण

`"-0.001728C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V")`

कैलकुलेटर

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रीसेट

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पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

उलटा परत प्रभार - (में मापा गया कूलम्ब प्रति वर्ग मीटर) - व्युत्क्रम परत चार्ज अर्धचालक और इन्सुलेट ऑक्साइड परत के बीच इंटरफेस पर आवेश वाहकों के संचय को संदर्भित करता है जब गेट इलेक्ट्रोड पर वोल्टेज लगाया जाता है।
ऑक्साइड क्षमता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

ऑक्साइड क्षमता: 0.0008 फैरड --> 0.0008 फैरड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.86 वोल्ट --> 2.86 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.7 वोल्ट --> 0.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

Q_p = -0.001728

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

-0.001728 कूलम्ब प्रति वर्ग मीटर --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

-0.001728 कूलम्ब प्रति वर्ग मीटर <-- उलटा परत प्रभार

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चैनल वृद्धि » पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई अमन धुसावत

गुरु तेग बहादुर प्रौद्योगिकी संस्थान (जीटीबीआईटी), नई दिल्ली

अमन धुसावत ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 पी-चैनल वृद्धि कैलक्युलेटर्स

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

जाओ नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज))

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)

पीएमओएस में शारीरिक प्रभाव

जाओ दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर))

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2

पीएमओएस में बैकगेट इफेक्ट पैरामीटर

जाओ बैकगेट प्रभाव पैरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दाता एकाग्रता)/ऑक्साइड क्षमता

वर्तमान को स्रोत से नाली की ओर प्रवाहित करें

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक)

पीएमओएस में पिंच-ऑफ कंडीशन पर इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज-नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज)^2

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ प्रभावी वोल्टेज = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस के उलटा चैनल में वर्तमान

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*उलटा बहाव वेग)

पीएमओएस का प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता

पीएमओएस दी गई गतिशीलता के इनवर्जन चैनल में करंट

जाओ उलटा बहाव वेग = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रांजिस्टर का पारगमन समय

जाओ पारगमन समय = आधार चौड़ाई^2/(2*पीएनपी के लिए प्रसार स्थिरांक)

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज सूत्र

उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज की गणना कैसे करें?

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ऑक्साइड क्षमता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में, गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज गणना

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज कैलकुलेटर, उलटा परत प्रभार की गणना करने के लिए Inversion Layer Charge = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज Q_p को पीएमओएस फॉर्मूले में इनवर्जन लेयर चार्ज को पी-चैनल मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (पीएमओएस) में इनवर्जन लेयर चार्ज के रूप में परिभाषित किया गया है, जो पी-टाइप सेमीकंडक्टर के बीच इंटरफेस पर नकारात्मक चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) के संचय को संदर्भित करता है। सब्सट्रेट और इन्सुलेट परत (ऑक्साइड) जब गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लगाया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - -0.001728 = -0.0008*(2.86-0.7). आप और अधिक पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज क्या है?

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज पीएमओएस फॉर्मूले में इनवर्जन लेयर चार्ज को पी-चैनल मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (पीएमओएस) में इनवर्जन लेयर चार्ज के रूप में परिभाषित किया गया है, जो पी-टाइप सेमीकंडक्टर के बीच इंटरफेस पर नकारात्मक चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) के संचय को संदर्भित करता है। सब्सट्रेट और इन्सुलेट परत (ऑक्साइड) जब गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लगाया जाता है। है और इसे Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) या Inversion Layer Charge = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज की गणना कैसे करें?

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज को पीएमओएस फॉर्मूले में इनवर्जन लेयर चार्ज को पी-चैनल मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (पीएमओएस) में इनवर्जन लेयर चार्ज के रूप में परिभाषित किया गया है, जो पी-टाइप सेमीकंडक्टर के बीच इंटरफेस पर नकारात्मक चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) के संचय को संदर्भित करता है। सब्सट्रेट और इन्सुलेट परत (ऑक्साइड) जब गेट टर्मिनल पर वोल्टेज लगाया जाता है। Inversion Layer Charge = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) के रूप में परिभाषित किया गया है। पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज की गणना करने के लिए, आपको ऑक्साइड क्षमता (C_ox), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

उलटा परत प्रभार की गणना करने के कितने तरीके हैं?

उलटा परत प्रभार ऑक्साइड क्षमता (C_ox), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज-नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)

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