स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
एमिटर-बेस कैपेसिटेंस = डिवाइस स्थिरांक*transconductance
Ceb = 𝛕F*Gm
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
एमिटर-बेस कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - एमिटर-बेस कैपेसिटेंस एमिटर और बेस के बीच की कैपेसिटेंस है।
डिवाइस स्थिरांक - (में मापा गया दूसरा) - डिवाइस स्थिर मान एक बार परिभाषित किया गया है और पूरे कार्यक्रम में कई बार संदर्भित किया जा सकता है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन आउटपुट टर्मिनल पर करंट में बदलाव का अनुपात है जो एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर वोल्टेज में बदलाव का अनुपात है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
डिवाइस स्थिरांक: 2 दूसरा --> 2 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
transconductance: 1.72 मिलिसिएमेंस --> 0.00172 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Ceb = 𝛕F*Gm --> 2*0.00172
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Ceb = 0.00344
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
0.00344 फैरड -->3440 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
आख़री जवाब
3440 माइक्रोफ़ारड <-- एमिटर-बेस कैपेसिटेंस
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

11 आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल कैलक्युलेटर्स

कलेक्टर-बेस कैपेसिटेंस
​ जाओ कलेक्टर बेस कैपेसिटेंस = एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*sqrt((शुल्क*परावैद्युतांक*डोपिंग घनत्व)/(2*(निर्मित क्षमता+रिवर्स बायस जंक्शन)))
कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस
​ जाओ कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस = कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस 0 वोल्टेज पर/(1+(रिवर्स-बायस वोल्टेज/बिल्ट-इन वोल्टेज))^ग्रेडिंग गुणांक
BJT की संक्रमण आवृत्ति
​ जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(एमिटर-बेस कैपेसिटेंस+कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस))
एमिटर से बेस में इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉनों की एकाग्रता
​ जाओ एमिटर से बेस तक ई-इंजेक्टेड की एकाग्रता = थर्मल संतुलन एकाग्रता*e^(बेस-एमिटर वोल्टेज/थर्मल वोल्टेज)
BJT की यूनिटी-गेन बैंडविड्थ
​ जाओ एकता-लाभ बैंडविड्थ = transconductance/(एमिटर-बेस कैपेसिटेंस+कलेक्टर-बेस जंक्शन कैपेसिटेंस)
BJT की स्माल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस
​ जाओ एमिटर-बेस कैपेसिटेंस = डिवाइस स्थिरांक*(कलेक्टर करंट/सीमा वोल्टेज)
माइनॉरिटी चार्ज कैरियर का थर्मल इक्विलिब्रियम कंसंट्रेशन
​ जाओ थर्मल संतुलन एकाग्रता = ((आंतरिक वाहक घनत्व)^2)/आधार की डोपिंग एकाग्रता
BJT के बेस में संग्रहीत इलेक्ट्रॉन चार्ज
​ जाओ संग्रहीत इलेक्ट्रॉन चार्ज = डिवाइस स्थिरांक*कलेक्टर करंट
स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस
​ जाओ एमिटर-बेस कैपेसिटेंस = डिवाइस स्थिरांक*transconductance
BJT की ट्रांजिशन फ्रीक्वेंसी दी गई डिवाइस कॉन्स्टेंट
​ जाओ संक्रमण आवृत्ति = 1/(2*pi*डिवाइस स्थिरांक)
बेस-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस
​ जाओ बेस-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस = 2*एमिटर-बेस कैपेसिटेंस

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस सूत्र

एमिटर-बेस कैपेसिटेंस = डिवाइस स्थिरांक*transconductance
Ceb = 𝛕F*Gm

संक्रमण समाई और प्रसार समाई के बीच अंतर क्या है?

संक्रमण समाई मूल रूप से वोल्टेज में परिवर्तन के संबंध में कमी क्षेत्र में संग्रहीत चार्ज का परिवर्तन है। और डिफ्यूजन कैपेसिटेंस वह कैपेसिटेंस है, जो एनोड से कैथोड से फॉरवर्ड-बायस्ड मोड में चार्ज कैरियर की गति के कारण होता है।

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया डिवाइस स्थिरांक (𝛕F), डिवाइस स्थिर मान एक बार परिभाषित किया गया है और पूरे कार्यक्रम में कई बार संदर्भित किया जा सकता है। के रूप में & transconductance (Gm), ट्रांसकंडक्शन आउटपुट टर्मिनल पर करंट में बदलाव का अनुपात है जो एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर वोल्टेज में बदलाव का अनुपात है। के रूप में डालें। कृपया स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस गणना

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, एमिटर-बेस कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Emitter-Base Capacitance = डिवाइस स्थिरांक*transconductance का उपयोग करता है। स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस Ceb को एक उपकरण के दो टर्मिनलों के बीच आवेश वाहकों के परिवहन के कारण लघु-संकेत प्रसार संधारित्र सूत्र को समाई के रूप में परिभाषित किया जाता है, उदाहरण के लिए, डायोड के फॉरवर्ड-बायस मोड में एनोड से कैथोड तक या एमिटर से बेस तक वाहक का प्रसार। एक ट्रांजिस्टर के लिए आगे-पक्षपाती जंक्शन। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 3.4E+9 = 2*0.00172. आप और अधिक स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस क्या है?
स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस एक उपकरण के दो टर्मिनलों के बीच आवेश वाहकों के परिवहन के कारण लघु-संकेत प्रसार संधारित्र सूत्र को समाई के रूप में परिभाषित किया जाता है, उदाहरण के लिए, डायोड के फॉरवर्ड-बायस मोड में एनोड से कैथोड तक या एमिटर से बेस तक वाहक का प्रसार। एक ट्रांजिस्टर के लिए आगे-पक्षपाती जंक्शन। है और इसे Ceb = 𝛕F*Gm या Emitter-Base Capacitance = डिवाइस स्थिरांक*transconductance के रूप में दर्शाया जाता है।
स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?
स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस को एक उपकरण के दो टर्मिनलों के बीच आवेश वाहकों के परिवहन के कारण लघु-संकेत प्रसार संधारित्र सूत्र को समाई के रूप में परिभाषित किया जाता है, उदाहरण के लिए, डायोड के फॉरवर्ड-बायस मोड में एनोड से कैथोड तक या एमिटर से बेस तक वाहक का प्रसार। एक ट्रांजिस्टर के लिए आगे-पक्षपाती जंक्शन। Emitter-Base Capacitance = डिवाइस स्थिरांक*transconductance Ceb = 𝛕F*Gm के रूप में परिभाषित किया गया है। स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको डिवाइस स्थिरांक (𝛕F) & transconductance (Gm) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको डिवाइस स्थिर मान एक बार परिभाषित किया गया है और पूरे कार्यक्रम में कई बार संदर्भित किया जा सकता है। & ट्रांसकंडक्शन आउटपुट टर्मिनल पर करंट में बदलाव का अनुपात है जो एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर वोल्टेज में बदलाव का अनुपात है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
एमिटर-बेस कैपेसिटेंस की गणना करने के कितने तरीके हैं?
एमिटर-बेस कैपेसिटेंस डिवाइस स्थिरांक (𝛕F) & transconductance (Gm) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -
  • एमिटर-बेस कैपेसिटेंस = डिवाइस स्थिरांक*(कलेक्टर करंट/सीमा वोल्टेज)
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