Klein-signaalverspreidingscapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Ceb = 𝛕F*Gm
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.
Apparaat constant - (Gemeten in Seconde) - Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Apparaat constant: 2 Seconde --> 2 Seconde Geen conversie vereist
Transconductantie: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Bekijk de conversie hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ceb = 𝛕F*Gm --> 2*0.00172
Evalueren ... ...
Ceb = 0.00344
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00344 Farad -->3440 Microfarad (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
3440 Microfarad <-- Emitter-basis capaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit
Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt
Overgangsfrequentie van BJT
Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))
Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis
Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
Unity-Gain-bandbreedte van BJT
Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)
Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT
Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager
Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT
Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Klein-signaalverspreidingscapaciteit
Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante
Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)
Base-Emitter Junction Capaciteit
Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Klein-signaalverspreidingscapaciteit Formule

Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Ceb = 𝛕F*Gm

Wat is het verschil tussen overgangscapaciteit en diffusiecapaciteit?

Overgangscapaciteit is in feite de verandering van lading die is opgeslagen in het uitputtingsgebied met betrekking tot een verandering in spanning. En diffusiecapaciteit is de capaciteit die wordt veroorzaakt door beweging van ladingsdragers tussen anode naar kathode in de voorwaarts voorgespannen modus.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!