Kleinsignal-Diffusionskapazität Taschenrechner

✖Ein Gerätekonstantenwert wird einmal definiert und kann in einem Programm viele Male referenziert werden.ⓘ Gerätekonstante [𝛕_F]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Steilheit [G_m]			+10% -10%

✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Kleinsignal-Diffusionskapazität [C_eb]

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Formel

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Kleinsignal-Diffusionskapazität

Formel

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*"G"_{"m"}`

Beispiel

`"3440μF"="2s"*"1.72mS"`

Taschenrechner

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Kleinsignal-Diffusionskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit
C_eb = 𝛕_F*G_m
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
Gerätekonstante - (Gemessen in Zweite) - Ein Gerätekonstantenwert wird einmal definiert und kann in einem Programm viele Male referenziert werden.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gerätekonstante: 2 Zweite --> 2 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_eb = 𝛕_F*G_m --> 2*0.00172

Auswerten ... ...

C_eb = 0.00344

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00344 Farad -->3440 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3440 Mikrofarad <-- Emitter-Basis-Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Kleinsignal-Diffusionskapazität Formel

Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit
C_eb = 𝛕_F*G_m

Was ist der Unterschied zwischen Übergangskapazität und Diffusionskapazität?

Die Übergangskapazität ist im Wesentlichen die im Verarmungsbereich gespeicherte Ladungsänderung in Bezug auf eine Spannungsänderung. Die Diffusionskapazität ist die Kapazität, die durch die Bewegung von Ladungsträgern zwischen Anode und Kathode im vorwärts vorgespannten Modus verursacht wird.

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