Capacità di diffusione di piccoli segnali calcolatrice

✖Un valore costante del dispositivo viene definito una volta e può essere referenziato molte volte in un programma.ⓘ Dispositivo costante [𝛕_F]			+10% -10%
✖La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.ⓘ Transconduttanza [G_m]			+10% -10%

✖La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.ⓘ Capacità di diffusione di piccoli segnali [C_eb]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Formula

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*"G"_{"m"}`

Esempio

`"3440μF"="2s"*"1.72mS"`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento BJT Formula PDF PDF Image

Capacità di diffusione di piccoli segnali Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
C_eb = 𝛕_F*G_m
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.
Dispositivo costante - (Misurato in Secondo) - Un valore costante del dispositivo viene definito una volta e può essere referenziato molte volte in un programma.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Dispositivo costante: 2 Secondo --> 2 Secondo Nessuna conversione richiesta
Transconduttanza: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_eb = 𝛕_F*G_m --> 2*0.00172

Valutare ... ...

C_eb = 0.00344

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00344 Farad -->3440 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3440 Microfarad <-- Capacità di base dell'emettitore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » BJT » Elettronica analogica » Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza » Capacità di diffusione di piccoli segnali

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base

Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base

Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo

Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)

Capacità di giunzione base-emettitore

Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Capacità di diffusione di piccoli segnali Formula

Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
C_eb = 𝛕_F*G_m

Qual è la differenza tra capacità di transizione e capacità di diffusione?

La capacità di transizione è fondamentalmente la variazione di carica immagazzinata nella regione di svuotamento rispetto a una variazione di tensione. E la capacità di diffusione è la capacità causata dal movimento dei portatori di carica dall'anodo al catodo nella modalità a polarizzazione diretta.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!