Potenziale integrato calcolatrice

✖La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.ⓘ Tensione termica [V_t]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]			+10% -10%
✖La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.ⓘ Concentrazione dei donatori [N_d]			+10% -10%
✖La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione elettronica intrinseca [n_i]			+10% -10%

✖Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.ⓘ Potenziale integrato [ψ_o]

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Potenziale integrato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Potenziale incorporato - (Misurato in Volt) - Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.
Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.
Concentrazione elettronica intrinseca - La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione termica: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1100 1 per metro cubo --> 1100 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dei donatori: 190000000000000 1 per metro cubo --> 190000000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione elettronica intrinseca: 17 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Valutare ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

18.8180761773197 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Potenziale incorporato

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del progetto CMOS Calcolatrici

Potenziale integrato

LaTeX Partire Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))

Modifica della frequenza dell'orologio

LaTeX Partire Modifica della frequenza dell'orologio = Guadagno VCO*Tensione di controllo VCO

Capacità sul percorso

LaTeX Partire Capacità sul percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità fuori percorso

Corrente statica

LaTeX Partire Corrente statica = Potenza statica/Tensione del collettore di base

Vedi altro >>

Potenziale integrato Formula

LaTeX Partire

Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Su quale principio funziona il modello di capacità di diffusione MOS?

Un transistor MOS può essere visto come un dispositivo a quattro terminali con capacità tra ciascuna coppia di terminali. La capacità di gate include una componente intrinseca (al corpo, source e drain, o da sola sorgente, a seconda del regime operativo) e si sovrappongono termini con source e drain. La sorgente e lo scarico hanno capacità di diffusione parassitaria al corpo.

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