Conduttività di tipo N calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

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Trigger di Schmitt

✖Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.ⓘ Carica [q]			+10% -10%
✖La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.ⓘ Mobilità del silicio con drogaggio elettronico [μ_n]			+10% -10%
✖La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.ⓘ Concentrazione di equilibrio di tipo N [N_d]			+10% -10%
✖La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.ⓘ Mobilità del silicio drogato con fori [μ_p]			+10% -10%
✖La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione intrinseca [n_i]			+10% -10%

✖La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.ⓘ Conduttività di tipo N [σ]

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Formula

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Conduttività di tipo N

Formula

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"N"_{"d"}+"μ"_{"p"}*("n"_{"i"}^2/"N"_{"d"}))`

Esempio

`"0.085965mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"45/cm³"+"2.4cm²/V*s"*(("1.32/cm³")^2/"45/cm³"))`

Calcolatrice

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Conduttività di tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
Questa formula utilizza 6 Variabili

Variabili utilizzate

Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di equilibrio di tipo N - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.
Mobilità del silicio drogato con fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione di equilibrio di tipo N: 45 1 per centimetro cubo --> 45000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Mobilità del silicio drogato con fori: 2.4 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.00024 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione intrinseca: 1.32 1 per centimetro cubo --> 1320000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))

Valutare ... ...

σ = 8.596464

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8.596464 Siemens/Metro -->0.08596464 Mho/Centimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.08596464 ≈ 0.085965 Mho/Centimetro <-- Conduttività ohmica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

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