Impurezza con concentrazione intrinseca calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.ⓘ Concentrazione di elettroni [n_e]			+10% -10%
✖La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei fori [p]			+10% -10%
✖Impurità della temperatura: un indice di base che rappresenta la temperatura media dell'aria su diverse scale temporali.ⓘ Impurità della temperatura [t_o]			+10% -10%

✖La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Impurezza con concentrazione intrinseca [n_i]

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Formula

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Impurezza con concentrazione intrinseca

Formula

`"n"_{"i"} = sqrt(("n"_{"e"}*"p")/"t"_{"o"})`

Esempio

`"1.321249/cm³"=sqrt(("50.6/cm³"*"0.69/cm³")/"20K")`

Calcolatrice

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Impurezza con concentrazione intrinseca Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione di elettroni - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.
Concentrazione dei fori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.
Impurità della temperatura - (Misurato in Kelvin) - Impurità della temperatura: un indice di base che rappresenta la temperatura media dell'aria su diverse scale temporali.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione di elettroni: 50.6 1 per centimetro cubo --> 50600000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione dei fori: 0.69 1 per centimetro cubo --> 690000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Impurità della temperatura: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Valutare ... ...

n_i = 1321249.40870375

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1321249.40870375 1 per metro cubo -->1.32124940870375 1 per centimetro cubo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 per centimetro cubo <-- Concentrazione intrinseca

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Impurezza con concentrazione intrinseca Formula

Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)

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