Conduttività ohmica delle impurità Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di elettroni - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.
Mobilità del silicio drogato con fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.
Concentrazione dei fori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di elettroni: 50.6 1 per centimetro cubo --> 50600000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio drogato con fori: 2.4 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.00024 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione dei fori: 0.69 1 per centimetro cubo --> 690000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Valutare ... ...
σ = 10.442
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
10.442 Siemens/Metro -->0.10442 Mho/Centimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.10442 Mho/Centimetro <-- Conduttività ohmica
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare
​ Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))
Atomi di impurità per unità di area
​ Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))
Conduttività di tipo P
​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)
Conduttività di tipo N
​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Corrente di collettore del transistor PNP
​ Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base
Conduttività ohmica delle impurità
​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione
​ Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)
Corrente di saturazione nel transistor
​ Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale
Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione
​ Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate
Resistenza del foglio dello strato
​ Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)
Buco di densità di corrente
​ Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)
Efficienza di iniezione dell'emettitore
​ Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)
Resistenza dello strato diffuso
​ Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)
Corrente che scorre nel diodo Zener
​ Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio
​ Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)
Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati
​ Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso
Fattore di trasporto della base data la larghezza della base
​ Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Conduttività ohmica delle impurità Formula

Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!