Проводимость N-типа Калькулятор

✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Электронное легирование кремния. Подвижность характеризует, насколько быстро электрон может перемещаться через металл или полупроводник, когда его притягивает электрическое поле.ⓘ Электронно-легированная подвижность кремния [μ_n]			+10% -10%
✖Равновесная концентрация N-типа равна плотности донорных атомов, поскольку электроны проводимости передаются исключительно донорным атомом.ⓘ Равновесная концентрация N-типа [N_d]			+10% -10%
✖Подвижность кремния, легированного дырками, — это способность дырки перемещаться по металлу или полупроводнику в присутствии приложенного электрического поля.ⓘ Подвижность кремния, легированного дырками [μ_p]			+10% -10%
✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя концентрация [n_i]			+10% -10%

✖Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.ⓘ Проводимость N-типа [σ]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Проводимость N-типа

Формула

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"N"_{"d"}+"μ"_{"p"}*("n"_{"i"}^2/"N"_{"d"}))`

Пример

`"0.085965mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"45/cm³"+"2.4cm²/V*s"*(("1.32/cm³")^2/"45/cm³"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Проводимость N-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Омическая проводимость - (Измеряется в Сименс/ метр) - Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Электронно-легированная подвижность кремния - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Электронное легирование кремния. Подвижность характеризует, насколько быстро электрон может перемещаться через металл или полупроводник, когда его притягивает электрическое поле.
Равновесная концентрация N-типа - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Равновесная концентрация N-типа равна плотности донорных атомов, поскольку электроны проводимости передаются исключительно донорным атомом.
Подвижность кремния, легированного дырками - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность кремния, легированного дырками, — это способность дырки перемещаться по металлу или полупроводнику в присутствии приложенного электрического поля.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Электронно-легированная подвижность кремния: 0.38 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 3.8E-05 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Равновесная концентрация N-типа: 45 1 на кубический сантиметр --> 45000000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Подвижность кремния, легированного дырками: 2.4 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 0.00024 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 1.32 1 на кубический сантиметр --> 1320000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))

Оценка ... ...

σ = 8.596464

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

8.596464 Сименс/ метр -->0.08596464 мо/ Сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.08596464 ≈ 0.085965 мо/ Сантиметр <-- Омическая проводимость

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Проводимость N-типа

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Проводимость N-типа формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!