Densità effettiva di stato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Nc = n0/fE
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Densità di stato effettiva in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di conduzione è definita come il numero di minimi di energia equivalenti nella banda di conduzione.
Concentrazione elettronica in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di elettroni nella banda di conduzione si riferisce alla quantità o all'abbondanza di elettroni liberi disponibili per la conduzione nella banda di conduzione di un materiale semiconduttore.
Funzione di Fermi - La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione elettronica in banda di conduzione: 14000000 1 per metro cubo --> 14000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Funzione di Fermi: 0.022 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Nc = n0/fE --> 14000000/0.022
Valutare ... ...
Nc = 636363636.363636
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
636363636.363636 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
636363636.363636 6.4E+8 1 per metro cubo <-- Densità di stato effettiva in banda di conduzione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Concentrazione di elettroni in stato stazionario
​ Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb
​ Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Concentrazione in banda di conduzione
​ Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi
Densità effettiva di stato
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Concentrazione dei buchi nella banda di valenza
​ Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Ricombinazione a vita
​ Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Concentrazione liquida
​ Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione
Tasso netto di variazione della banda di conduzione
​ Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
Tasso di generazione termica
​ Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Velocità di generazione ottica
​ Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia della banda di valenza
​ Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Divario energetico
​ Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Densità effettiva di stato Formula

Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Nc = n0/fE

Qual è la densità di massa effettiva?

È usato per rappresentare il sistema reticolare massa in massa originale, la densità di massa effettiva. diventa dipendente dalla frequenza e può diventare negativo per frequenze vicine alla frequenza di risonanza della massa interna. Al contrario, se una microstruttura multi-dislocante.

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