Effektive Staatsdichte Taschenrechner

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✖Die Elektronenkonzentration im Leitungsband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit freier Elektronen, die für die Leitung im Leitungsband eines Halbleitermaterials zur Verfügung stehen.ⓘ Elektronenkonzentration im Leitungsband [n₀]			+10% -10%
✖Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.ⓘ Fermi-Funktion [f_E]			+10% -10%

✖Die effektive Zustandsdichte im Leitungsband ist definiert als die Anzahl äquivalenter Energieminima im Leitungsband.ⓘ Effektive Staatsdichte [N_c]

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Formel

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Effektive Staatsdichte

Formel

`"N"_{"c"} = "n"_{"0"}/"f"_{"E"}`

Beispiel

`"6.4E^8/m³"="1.4e7/m³"/"0.022"`

Taschenrechner

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Effektive Staatsdichte Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion
N_c = n₀/f_E
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die effektive Zustandsdichte im Leitungsband ist definiert als die Anzahl äquivalenter Energieminima im Leitungsband.
Elektronenkonzentration im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration im Leitungsband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit freier Elektronen, die für die Leitung im Leitungsband eines Halbleitermaterials zur Verfügung stehen.
Fermi-Funktion - Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Elektronenkonzentration im Leitungsband: 14000000 1 pro Kubikmeter --> 14000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Fermi-Funktion: 0.022 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_c = n₀/f_E --> 14000000/0.022

Auswerten ... ...

N_c = 636363636.363636

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

636363636.363636 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

636363636.363636 ≈ 6.4E+8 1 pro Kubikmeter <-- Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

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Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

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Konzentration von Löchern im Valenzband

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Übermäßige Trägerkonzentration

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Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

Effektive Staatsdichte Formel

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion
N_c = n₀/f_E

Was ist effektive Massendichte?

Es wird verwendet, um das ursprüngliche Masse-in-Masse-Gittersystem, die effektive Massendichte, darzustellen. wird frequenzabhängig und kann für Frequenzen nahe der Resonanzfrequenz der internen Masse negativ werden. Im Gegensatz dazu handelt es sich um eine Multi-Displacement-Mikrostruktur.

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