Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET calcolatrice

✖La capacità di sovrapposizione si riferisce alla capacità che si forma tra due regioni conduttive vicine l'una all'altra, ma non direttamente collegate.ⓘ Capacità di sovrapposizione [C_oc]			+10% -10%
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La lunghezza di sovrapposizione è la distanza media che i portatori in eccesso possono coprire prima di ricombinarsi.ⓘ Lunghezza di sovrapposizione [L_ov]			+10% -10%

✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET [W_c]

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Formula

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Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Formula

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Esempio

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

Calcolatrice

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Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Capacità di sovrapposizione - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione si riferisce alla capacità che si forma tra due regioni conduttive vicine l'una all'altra, ma non direttamente collegate.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Lunghezza di sovrapposizione - (Misurato in metro) - La lunghezza di sovrapposizione è la distanza media che i portatori in eccesso possono coprire prima di ricombinarsi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di sovrapposizione: 3.8E-07 Microfarad --> 3.8E-13 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione qui)
Lunghezza di sovrapposizione: 40.6 Micrometro --> 4.06E-05 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Valutare ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

9.95702756524473E-06 metro -->9.95702756524473 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micrometro <-- Larghezza del canale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET Formula

Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Cos'è il MOSFET e come funziona?

In generale, il MOSFET funziona come un interruttore, il MOSFET controlla la tensione e il flusso di corrente tra la sorgente e lo scarico. Il funzionamento del MOSFET dipende dal condensatore MOS, che è la superficie del semiconduttore sotto gli strati di ossido tra il terminale di source e quello di drain.

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