Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.ⓘ Parametro di transconduttanza del processo [k'_n]			+10% -10%
✖La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.ⓘ Tensione effettiva [V_ov]			+10% -10%

✖La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.ⓘ Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione [i_ds]

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Formula

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Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Formula

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Esempio

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

Calcolatrice

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Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Corrente di drenaggio di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Parametro di transconduttanza del processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza del processo: 0.2 Ampere per Volt Quadrato --> 0.2 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Larghezza del canale: 10.15 Micrometro --> 1.015E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3.25 Micrometro --> 3.25E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione effettiva: 0.123 Volt --> 0.123 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Valutare ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00472490307692308 Ampere -->4.72490307692308 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Millampere <-- Corrente di drenaggio di saturazione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione Formula

Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

Quanta corrente può gestire un MOSFET?

MOSFET ad alto amperaggio come il 511-STP200N3LL dicono di poter gestire 120 Amp di corrente. Il transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo, o MOSFET in breve, ha una resistenza di gate di ingresso estremamente elevata con la corrente che fluisce attraverso il canale tra la sorgente e il drenaggio è controllata dalla tensione di gate.

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