Tensione di ingresso data tensione di segnale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione dei componenti fondamentali - (Misurato in Volt) - La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.
Resistenza di ingresso finita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso finita è la resistenza finita vista dalla sorgente di corrente o dalla sorgente di tensione che guida il circuito.
Resistenza del segnale - (Misurato in Ohm) - La resistenza del segnale è la resistenza alimentata dalla sorgente di tensione del segnale di un amplificatore.
Piccola tensione di segnale - (Misurato in Volt) - La tensione del piccolo segnale è un'espressione quantitativa della differenza potenziale di carica elettrica tra due punti in un campo elettrico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza di ingresso finita: 2.258 Kilohm --> 2258 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza del segnale: 1.12 Kilohm --> 1120 Ohm (Controlla la conversione qui)
Piccola tensione di segnale: 7.58 Volt --> 7.58 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig --> (2258/(2258+1120))*7.58
Valutare ... ...
Vfc = 5.06679692125518
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.06679692125518 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.06679692125518 5.066797 Volt <-- Tensione dei componenti fondamentali
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido
Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source
Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET
Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))
Tensione di ingresso data tensione di segnale
Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale
Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione
Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
Parametro di transconduttanza del transistor MOS
Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)
Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente
Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
Corrente di scarico del transistor
Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico
Tensione di scarico totale istantanea
Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente
Tensione di ingresso nel transistor
Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
Transconduttanza degli amplificatori a transistor
Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)
Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso
Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore
Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor
Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune
Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base
Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor
Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso
Guadagno di corrente CC dell'amplificatore
Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base
Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova
Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente
Resistenza di ingresso del circuito di gate comune
Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente
Prova la corrente dell'amplificatore a transistor
Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

Tensione di ingresso data tensione di segnale Formula

Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale
Vfc = (Rfi/(Rfi+Rsig))*Vsig

Come funziona un transistor a giunzione?

Supponiamo ora di utilizzare tre strati di silicio nel nostro sandwich invece di due. Possiamo fare un sandwich pnp (con una fetta di silicone di tipo n come ripieno tra due fette di tipo p) o un sandwich npn (con il tipo p tra le due lastre di tipo n). Se uniamo contatti elettrici a tutti e tre gli strati del sandwich, possiamo creare un componente che amplifichi una corrente o la accenda o spenga, in altre parole, un transistor.

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