Corrente di scarico istantanea Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2
id = Kn*(Vgsq-Vt+Vc)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza Kn è una misura della variazione della corrente che scorre attraverso un transistor in risposta a una piccola variazione di tensione.
Componente CC della tensione da gate a sorgente - (Misurato in Volt) - La componente CC della tensione da gate a source si riferisce alla tensione applicata tra i terminali di gate e source, che controlla il flusso di corrente tra i terminali di drain e source.
Tensione totale - (Misurato in Volt) - La tensione totale in un circuito in serie è uguale alla somma di tutte le singole cadute di tensione nel circuito.
Tensione critica - (Misurato in Volt) - La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro di transconduttanza: 0.07 Ampere per Volt Quadrato --> 0.07 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Componente CC della tensione da gate a sorgente: 10 Volt --> 10 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione totale: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione critica: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
id = Kn*(Vgsq-Vt+Vc)^2 --> 0.07*(10-2+0.284)^2
Valutare ... ...
id = 4.80372592
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
4.80372592 Ampere -->4803.72592 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
4803.72592 4803.726 Millampere <-- Assorbimento di corrente
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
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Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

12 Attuale Calcolatrici

Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale
​ Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))
Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale
​ Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))
Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive
​ Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2
Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET
​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2
Corrente di scarico istantanea
​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2
Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive
​ Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET
​ Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2
Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive
​ Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)
Scaricare la corrente nella linea di carico
​ Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico
Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs
​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2)
Corrente nel rifiuto di modo comune del MOSFET
​ Partire Corrente totale = Segnale incrementale/((1/Transconduttanza)+(2*Resistenza di uscita))
Corrente di cortocircuito del MOSFET
​ Partire Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source

Corrente di scarico istantanea Formula

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2
id = Kn*(Vgsq-Vt+Vc)^2
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