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P-Kanal-Verbesserung
Steilheit
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Der Transkonduktanzparameter Kn ist ein Maß für die Änderung des durch einen Transistor fließenden Stroms als Reaktion auf eine kleine Spannungsänderung.
ⓘ
Transkonduktanzparameter [K
n
]
Ampere pro Quadratvolt
Kiloampere pro Quadratvolt
Megaampere pro Quadratvolt
Mikroampere pro Quadratvolt
Milliampere pro Quadratvolt
+10%
-10%
✖
Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.
ⓘ
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung [V
gsq
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die Gesamtspannung in einer Reihenschaltung ist gleich der Summe aller einzelnen Spannungsabfälle in der Schaltung.
ⓘ
Gesamtspannung [V
t
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
ⓘ
Kritische Spannung [V
c
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
ⓘ
Momentaner Abflussstrom [i
d
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
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Schritte
👎
Formel
✖
Momentaner Abflussstrom
Formel
`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"gsq"}-"V"_{"t"}+"V"_{"c"})^2`
Beispiel
`"4803.726mA"="0.07A/V²"*("10V"-"2V"+"0.284V")^2`
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Momentaner Abflussstrom Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Stromverbrauch
=
Transkonduktanzparameter
*(
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung
-
Gesamtspannung
+
Kritische Spannung
)^2
i
d
=
K
n
*(
V
gsq
-
V
t
+
V
c
)^2
Diese formel verwendet
5
Variablen
Verwendete Variablen
Stromverbrauch
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Transkonduktanzparameter
-
(Gemessen in Ampere pro Quadratvolt)
- Der Transkonduktanzparameter Kn ist ein Maß für die Änderung des durch einen Transistor fließenden Stroms als Reaktion auf eine kleine Spannungsänderung.
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.
Gesamtspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Gesamtspannung in einer Reihenschaltung ist gleich der Summe aller einzelnen Spannungsabfälle in der Schaltung.
Kritische Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanzparameter:
0.07 Ampere pro Quadratvolt --> 0.07 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung:
10 Volt --> 10 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gesamtspannung:
2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kritische Spannung:
0.284 Volt --> 0.284 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
i
d
= K
n
*(V
gsq
-V
t
+V
c
)^2 -->
0.07*(10-2+0.284)^2
Auswerten ... ...
i
d
= 4.80372592
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4.80372592 Ampere -->4803.72592 Milliampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4803.72592
≈
4803.726 Milliampere
<--
Stromverbrauch
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Momentaner Abflussstrom
Credits
Erstellt von
Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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12 Aktuell Taschenrechner
Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb
Gehen
Strom ableiten 2
=
DC-Vorstrom
/2-
DC-Vorstrom
/
Overdrive-Spannung
*
Differenzielles Eingangssignal
/2*
sqrt
(1-(
Differenzielles Eingangssignal
)^2/(4*
Overdrive-Spannung
^2))
Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb
Gehen
Strom ableiten 1
=
DC-Vorstrom
/2+
DC-Vorstrom
/
Overdrive-Spannung
*
Differenzielles Eingangssignal
/2*
sqrt
(1-
Differenzielles Eingangssignal
^2/(4*
Overdrive-Spannung
^2))
Momentaner Abflussstrom
Gehen
Stromverbrauch
=
Transkonduktanzparameter
*(
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung
-
Gesamtspannung
+
Kritische Spannung
)^2
Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET
Gehen
Stromverbrauch
= 1/2*
Transkonduktanz in PMOS verarbeiten
*
Seitenverhältnis
*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)^2
Drain-Sättigungsstrom des MOSFET
Gehen
Sättigungsstrom
= 1/2*
Transkonduktanz in PMOS verarbeiten
*
Kanalbreite
/
Kanallänge
*(
Effektive Spannung
)^2
Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung
Gehen
Strom ableiten 2
=
DC-Vorstrom
/2-
DC-Vorstrom
/
Overdrive-Spannung
*
Differenzielles Eingangssignal
/2
Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung
Gehen
Strom ableiten 1
=
DC-Vorstrom
/2+
DC-Vorstrom
/
Overdrive-Spannung
*
Differenzielles Eingangssignal
/2
Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung
Gehen
Stromverbrauch
= (
DC-Vorstrom
/
Overdrive-Spannung
)*(
Differenzielles Eingangssignal
/2)
Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs
Gehen
Stromverbrauch
=
Transkonduktanzparameter
*((
Kritische Spannung
-
Gesamtspannung
)^2)
Strom in Lastleitung ableiten
Gehen
Stromverbrauch
= (
Versorgungsspannung
-
Drain-Source-Spannung
)/
Lastwiderstand
Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET
Gehen
Gesamtstrom
=
Inkrementelles Signal
/((1/
Steilheit
)+(2*
Ausgangswiderstand
))
Kurzschlussstrom des MOSFET
Gehen
Ausgangsstrom
=
Steilheit
*
Gate-Source-Spannung
Momentaner Abflussstrom Formel
Stromverbrauch
=
Transkonduktanzparameter
*(
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung
-
Gesamtspannung
+
Kritische Spannung
)^2
i
d
=
K
n
*(
V
gsq
-
V
t
+
V
c
)^2
Zuhause
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