Concentrazione intrinseca calcolatrice

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T))
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 5 Variabili
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
e - Costante di Napier Valore preso come 2.71828182845904523536028747135266249sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Densità effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità effettiva nella banda di valenza è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di valenza di un elemento.
Densità effettiva in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità effettiva nella banda di conduzione è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di conduzione di un elemento.
Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico - (Misurato in Joule) - Dipendenza dalla temperatura dell'energia Band Gap descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap.
Temperatura - (Misurato in Kelvin) - La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)