Lunghezza di diffusione del foro calcolatrice

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Caratteristiche del portatore di carica

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La costante di diffusione dei fori si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui i fori si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.ⓘ Costante di diffusione dei fori [D_p]			+10% -10%
✖Hole Carrier Lifetime si riferisce al tempo medio in cui esiste una lacuna portatrice minoritaria nel materiale prima di ricombinarsi con un elettrone e quindi scomparire.ⓘ Supporto per fori a vita [τ_p]			+10% -10%

✖La lunghezza di diffusione dei fori si riferisce alla distanza media percorsa dalla relativa carica nel semiconduttore.ⓘ Lunghezza di diffusione del foro [L_p]

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Formula

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Lunghezza di diffusione del foro

Formula

`"L"_{"p"} = sqrt("D"_{"p"}*"τ"_{"p"})`

Esempio

`"0.362214m"=sqrt("37485.39cm²/s"*"0.035s")`

Calcolatrice

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Lunghezza di diffusione del foro Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Lunghezza di diffusione dei fori - (Misurato in metro) - La lunghezza di diffusione dei fori si riferisce alla distanza media percorsa dalla relativa carica nel semiconduttore.
Costante di diffusione dei fori - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione dei fori si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui i fori si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.
Supporto per fori a vita - (Misurato in Secondo) - Hole Carrier Lifetime si riferisce al tempo medio in cui esiste una lacuna portatrice minoritaria nel materiale prima di ricombinarsi con un elettrone e quindi scomparire.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Costante di diffusione dei fori: 37485.39 Centimetro quadrato al secondo --> 3.748539 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)
Supporto per fori a vita: 0.035 Secondo --> 0.035 Secondo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

L_p = sqrt(D_p*τ_p) --> sqrt(3.748539*0.035)

Valutare ... ...

L_p = 0.362213838774832

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.362213838774832 metro --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.362213838774832 ≈ 0.362214 metro <-- Lunghezza di diffusione dei fori

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 16 Caratteristiche del portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica del CRT

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Distanza tra le piastre deflettrici*Distanza Schermo e Piastre Deflettenti)/(2*Deviazione del raggio*Velocità dell'elettrone)

Densità di corrente dovuta agli elettroni

Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)

Costante di diffusione dei fori

Partire Costante di diffusione dei fori = Mobilità dei fori*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Periodo di tempo dell'elettrone

Partire Periodo del percorso circolare delle particelle = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Forza sull'elemento corrente nel campo magnetico

Partire Forza = Elemento attuale*Densità del flusso magnetico*sin(Angolo tra i piani)

Velocità dell'elettrone

Partire Velocità dovuta alla tensione = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaggio)/[Mass-e])

Lunghezza di diffusione del foro

Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Conduttività nei metalli

Partire Conducibilità = Concentrazione di elettroni*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Velocità dell'elettrone nei campi di forza

Partire Velocità dell'elettrone nei campi di forza = Intensità del campo elettrico/Intensità del campo magnetico

Tensione termica

Partire Tensione termica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein

Partire Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone

Densità di corrente di convezione

Partire Densità di corrente di convezione = Densità di carica*Velocità di carica

Lunghezza di diffusione del foro Formula

Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)

Qual è il significato della lunghezza di diffusione?

La lunghezza di diffusione del vettore è un concetto fondamentale nella fisica dei semiconduttori e si riferisce alla distanza media che un vettore di carica in eccesso (elettrone o lacuna) può percorrere attraverso un materiale semiconduttore prima che si ricombini con un vettore di carica opposto o venga altrimenti perso. È una misura di quanto i vettori possono diffondersi lontano dal loro punto di generazione.

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