MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto calcolatrice

✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.ⓘ Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale [μ_s]			+10% -10%
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.ⓘ Tensione effettiva [V_eff]			+10% -10%

✖Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.ⓘ MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto [R_ds]

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Formula

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MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Formula

`"R"_{"ds"} = "L"/("μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"V"_{"eff"})`

Esempio

`"0.16468kΩ"="100μm"/("38m²/V*s"*"940μF"*"10μm"*"1.7V")`

Calcolatrice

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MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
Questa formula utilizza 6 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 metro (Controlla la conversione qui)
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale: 38 Metro quadrato per Volt al secondo --> 38 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

Valutare ... ...

R_ds = 164.679533627561

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.164679533627561 ≈ 0.16468 Kilohm <-- Resistenza lineare

(Calcolo completato in 00.009 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale

Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)

Resistenza di ingresso del Mosfet

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)

Resistenza finita tra Drain e Source

Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)

Percorso libero medio elettronico

Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Resistenza di ingresso data la transconduttanza

Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza

Resistenza di uscita data la transconduttanza

Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)

Resistenza di uscita del Mosfet

Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente

Resistenza di ingresso del segnale piccolo

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

MOSFET come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Formula

Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

Qual è la condizione per utilizzare il MOSFET come resistenza lineare?

Quando aumenti lentamente la tensione di gate, il MOSFET inizia a condurre lentamente entrando nella regione lineare dove inizia a sviluppare una tensione ai suoi capi che chiamiamo V DS. In questa regione, il MOSFET agisce come una resistenza di valore finito.

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