Resistenza finita tra Drain e Source calcolatrice

✖La tensione CC positiva è la tensione sul terminale positivo di una sorgente di tensione CC è superiore a quella sul terminale negativo, determinando un flusso di corrente elettrica in una direzione specifica.ⓘ Tensione continua positiva [V_a]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%

✖Una resistenza finita significa semplicemente che la resistenza in un circuito non è infinita o zero. In altre parole, il circuito presenta una certa quantità di resistenza, che può influenzarne il comportamento.ⓘ Resistenza finita tra Drain e Source [R_fi]

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Formula

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Resistenza finita tra Drain e Source

Formula

`"R"_{"fi"} = "modulus"("V"_{"a"})/"i"_{"d"}`

Esempio

`"0.06375kΩ"="modulus"("0.0051V")/"0.08mA"`

Calcolatrice

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Resistenza finita tra Drain e Source Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente
R_fi = modulus(V_a)/i_d
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

modulus - Il modulo di un numero è il resto quando quel numero viene diviso per un altro numero., modulus

Variabili utilizzate

Resistenza finita - (Misurato in Ohm) - Una resistenza finita significa semplicemente che la resistenza in un circuito non è infinita o zero. In altre parole, il circuito presenta una certa quantità di resistenza, che può influenzarne il comportamento.
Tensione continua positiva - (Misurato in Volt) - La tensione CC positiva è la tensione sul terminale positivo di una sorgente di tensione CC è superiore a quella sul terminale negativo, determinando un flusso di corrente elettrica in una direzione specifica.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione continua positiva: 0.0051 Volt --> 0.0051 Volt Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_fi = modulus(V_a)/i_d --> modulus(0.0051)/8E-05

Valutare ... ...

R_fi = 63.75

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

63.75 Ohm -->0.06375 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.06375 Kilohm <-- Resistenza finita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale

Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)

Resistenza di ingresso del Mosfet

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)

Resistenza finita tra Drain e Source

Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)

Percorso libero medio elettronico

Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Resistenza di ingresso data la transconduttanza

Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza

Resistenza di uscita data la transconduttanza

Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)

Resistenza di uscita del Mosfet

Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente

Resistenza di ingresso del segnale piccolo

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

MOSFET come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

Resistenza finita tra Drain e Source Formula

Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente
R_fi = modulus(V_a)/i_d

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain sotto la tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

Qual è l'intervallo di resistenza finita?

Tipicamente la resistenza finita è compresa tra 10kΩ e 1000kΩ. Il difetto più grave del modello a segnale piccolo è che assume che la corrente di drain in saturazione sia indipendente dalla tensione di drain mentre dipende anche dalla resistenza finita

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