Larghezza tipo N calcolatrice

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✖La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.ⓘ Carica totale dell'accettore [\|Q\|]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]			+10% -10%

✖La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.ⓘ Larghezza tipo N [x_no]

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Formula

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Larghezza tipo N

Formula

`"x"_{"no"} = "|Q|"/("A"_{"j"}*"N"_{"a"}*"[Charge-e]")`

Esempio

`"0.019015μm"="13C"/("5401.3µm²"*"7.9e35/m³"*"[Charge-e]")`

Calcolatrice

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Larghezza tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Penetrazione di carica di tipo N - (Misurato in metro) - La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Concentrazione dell'accettore: 7.9E+35 1 per metro cubo --> 7.9E+35 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])

Valutare ... ...

x_no = 1.90154922096807E-08

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.90154922096807E-08 metro -->0.0190154922096807 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0190154922096807 ≈ 0.019015 Micrometro <-- Penetrazione di carica di tipo N

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Giunzione SSD Calcolatrici

Lunghezza della giunzione lato P

Partire Lunghezza della giunzione lato P = (Corrente ottica/([Charge-e]*Zona di giunzione*Velocità di generazione ottica))-(Larghezza di transizione della giunzione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione)

Capacità di giunzione

Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Larghezza di transizione della giunzione

Partire Larghezza di transizione della giunzione = Penetrazione di carica di tipo N*((Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)/Concentrazione dell'accettore)

Resistenza in serie nel tipo P

Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Resistenza in serie di tipo N

Partire Resistenza in serie nella giunzione N = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione P

Tensione di giunzione

Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Area di giunzione in sezione trasversale

Partire Zona di giunzione = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Concentrazione dell'accettore)

Concentrazione dell'accettore

Partire Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)

Larghezza tipo N

Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Carica totale dell'accettore

Partire Carica totale dell'accettore = [Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore

Concentrazione dei donatori

Partire Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)

Coefficiente di assorbimento

Partire Coefficiente di assorbimento = (-1/Spessore del campione)*ln(Potenza assorbita/Potere incidente)

Potenza assorbita

Partire Potenza assorbita = Potere incidente*exp(-Spessore del campione*Coefficiente di assorbimento)

Distribuzione netta della carica

Partire Distribuzione netta = (Concentrazione dei donatori-Concentrazione dell'accettore)/Costante graduata

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione = Offset di lunghezza costante+Lunghezza effettiva del canale

Numero quantico

Partire Numero quantico = [Coulomb]*Lunghezza potenziale del pozzo/3.14

Larghezza tipo N Formula

Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])

Che cosa sono le correnti di diffusione e di deriva?

La corrente di deriva dipende dal campo elettrico applicato, se non c'è campo elettrico non c'è corrente di deriva. La corrente di diffusione si verifica anche se non c'è un campo elettrico applicato al semiconduttore.

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