Capacità di giunzione calcolatrice

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✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%
✖L'offset di lunghezza costante si riferisce a una regolazione fissa o costante che viene aggiunta o sottratta da una lunghezza misurata o specificata.ⓘ Offset di lunghezza costante [k]			+10% -10%
✖La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.ⓘ Concentrazione drogante della base [N_B]			+10% -10%
✖Source Voltage è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.ⓘ Tensione sorgente [V]			+10% -10%
✖Source Voltage 1 è la pressione proveniente dalla sorgente di alimentazione di un circuito elettrico che spinge gli elettroni carichi (corrente) attraverso un circuito conduttore, consentendo loro di svolgere un lavoro come l'illuminazione di una luce.ⓘ Tensione sorgente 1 [V₁]			+10% -10%

✖La capacità di giunzione è definita come la capacità che si forma in un diodo a giunzione PN sotto polarizzazione inversa.ⓘ Capacità di giunzione [C_j]

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Formula

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Capacità di giunzione

Formula

`"C"_{"j"} = ("A"_{"j"}/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"k"*"N"_{"B"})/("V"-"V"_{"1"}))`

Esempio

`"0.02304μF"=("5401.3µm²"/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"1.59μm"*"1e28/m³")/("120V"-"50V"))`

Calcolatrice

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Capacità di giunzione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))
C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 1 Funzioni, 6 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Capacità di giunzione - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione è definita come la capacità che si forma in un diodo a giunzione PN sotto polarizzazione inversa.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.
Offset di lunghezza costante - (Misurato in metro) - L'offset di lunghezza costante si riferisce a una regolazione fissa o costante che viene aggiunta o sottratta da una lunghezza misurata o specificata.
Concentrazione drogante della base - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.
Tensione sorgente - (Misurato in Volt) - Source Voltage è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.
Tensione sorgente 1 - (Misurato in Volt) - Source Voltage 1 è la pressione proveniente dalla sorgente di alimentazione di un circuito elettrico che spinge gli elettroni carichi (corrente) attraverso un circuito conduttore, consentendo loro di svolgere un lavoro come l'illuminazione di una luce.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Offset di lunghezza costante: 1.59 Micrometro --> 1.59E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Concentrazione drogante della base: 1E+28 1 per metro cubo --> 1E+28 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Tensione sorgente: 120 Volt --> 120 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione sorgente 1: 50 Volt --> 50 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁)) --> (5.4013E-09/2)*sqrt((2*[Charge-e]*1.59E-06*1E+28)/(120-50))

Valutare ... ...

C_j = 2.30402951890085E-08

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.30402951890085E-08 Farad -->0.0230402951890085 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0230402951890085 ≈ 0.02304 Microfarad <-- Capacità di giunzione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Giunzione SSD Calcolatrici

Lunghezza della giunzione lato P

Partire Lunghezza della giunzione lato P = (Corrente ottica/([Charge-e]*Zona di giunzione*Velocità di generazione ottica))-(Larghezza di transizione della giunzione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione)

Capacità di giunzione

Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Larghezza di transizione della giunzione

Partire Larghezza di transizione della giunzione = Penetrazione di carica di tipo N*((Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)/Concentrazione dell'accettore)

Resistenza in serie nel tipo P

Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Resistenza in serie di tipo N

Partire Resistenza in serie nella giunzione N = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione P

Tensione di giunzione

Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Area di giunzione in sezione trasversale

Partire Zona di giunzione = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Concentrazione dell'accettore)

Concentrazione dell'accettore

Partire Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)

Larghezza tipo N

Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Carica totale dell'accettore

Partire Carica totale dell'accettore = [Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore

Concentrazione dei donatori

Partire Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)

Coefficiente di assorbimento

Partire Coefficiente di assorbimento = (-1/Spessore del campione)*ln(Potenza assorbita/Potere incidente)

Potenza assorbita

Partire Potenza assorbita = Potere incidente*exp(-Spessore del campione*Coefficiente di assorbimento)

Distribuzione netta della carica

Partire Distribuzione netta = (Concentrazione dei donatori-Concentrazione dell'accettore)/Costante graduata

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione = Offset di lunghezza costante+Lunghezza effettiva del canale

Numero quantico

Partire Numero quantico = [Coulomb]*Lunghezza potenziale del pozzo/3.14

Capacità di giunzione Formula

Qual è la capacità di giunzione come varia con la polarizzazione?

Un diodo può avere due diverse capacità, vale a dire capacità di giunzione e capacità di diffusione. Capacità di giunzione: è dominante quando il diodo è polarizzato inversamente ed è il risultato della carica immagazzinata nello strato di esaurimento.

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