Calculadora Ancho tipo N

↳

Electrónica

Ciencia de los Materiales

Civil

Eléctrico

Electrónica e instrumentación

Ingeniería de Producción

⤿

Portadores de semiconductores

✖La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.ⓘ Cargo total del aceptador [\|Q\|]			+10% -10%
✖El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.ⓘ Área de unión [A_j]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [N_a]			+10% -10%

✖El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.ⓘ Ancho tipo N [x_no]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Ancho tipo N

Fórmula

`"x"_{"no"} = "|Q|"/("A"_{"j"}*"N"_{"a"}*"[Charge-e]")`

Ejemplo

`"0.019015μm"="13C"/("5401.3µm²"*"7.9e35/m³"*"[Charge-e]")`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Unión SSD Fórmulas PDF PDF Image

Ancho tipo N Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Variables utilizadas

Penetración de carga tipo N - (Medido en Metro) - El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.
Cargo total del aceptador - (Medido en Culombio) - La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargo total del aceptador: 13 Culombio --> 13 Culombio No se requiere conversión
Área de unión: 5401.3 Micrómetro cuadrado --> 5.4013E-09 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])

Evaluar ... ...

x_no = 1.90154922096807E-08

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.90154922096807E-08 Metro -->0.0190154922096807 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0190154922096807 ≈ 0.019015 Micrómetro <-- Penetración de carga tipo N

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Dispositivos de estado sólido » Unión SSD » Ancho tipo N

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Ancho tipo N Fórmula

Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])

¿Qué son las corrientes de difusión y deriva?

La corriente de deriva depende del campo eléctrico aplicado, si no hay campo eléctrico, no hay corriente de deriva. La corriente de difusión se produce aunque no se aplique un campo eléctrico al semiconductor.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!