Numero di reticoli contenenti impurità calcolatrice

⤿

Reticolo

Densità di diverse cellule cubiche

Direzione del reticolo

Distanza interplanare e angolo interplanare

Fattore di imballaggio atomico

Volume di diverse cellule cubiche

✖La frazione di impurità è il rapporto tra il reticolo cristallino occupato da impurità e il totale n. di reticolo cristallino.ⓘ Frazione di impurità [f]			+10% -10%
✖Il totale n. dei punti del reticolo sono le posizioni specifiche nel cristallo occupate da atomi o ioni.ⓘ N. Totale di punti reticolari [N]			+10% -10%

✖Il numero di reticoli occupati da impurità è il numero di reticoli cristallini non occupati da atomi o ioni.ⓘ Numero di reticoli contenenti impurità [N_occupied]

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Formula

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Numero di reticoli contenenti impurità

Formula

`"N"_{"occupied"} = "f"*"N"`

Esempio

`"5"="0.5"*"10"`

Calcolatrice

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Numero di reticoli contenenti impurità Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

N. di reticolo occupato da impurità = Frazione di impurità*N. Totale di punti reticolari
N_occupied = f*N
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

N. di reticolo occupato da impurità - Il numero di reticoli occupati da impurità è il numero di reticoli cristallini non occupati da atomi o ioni.
Frazione di impurità - La frazione di impurità è il rapporto tra il reticolo cristallino occupato da impurità e il totale n. di reticolo cristallino.
N. Totale di punti reticolari - Il totale n. dei punti del reticolo sono le posizioni specifiche nel cristallo occupate da atomi o ioni.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frazione di impurità: 0.5 --> Nessuna conversione richiesta
N. Totale di punti reticolari: 10 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_occupied = f*N --> 0.5*10

Valutare ... ...

N_occupied = 5

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5 <-- N. di reticolo occupato da impurità

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Casa » Chimica » Chimica allo stato solido » Reticolo » Numero di reticoli contenenti impurità

Titoli di coda

Creato da Prerana Bakli

Università delle Hawai'i a Mānoa (UH Manoa), Hawaii, Stati Uniti

Prerana Bakli ha creato questa calcolatrice e altre 800+ altre calcolatrici!

Verificato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha verificato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

< 24 Reticolo Calcolatrici

Lunghezza del bordo utilizzando la distanza interplanare del cristallo cubico

Partire Lunghezza del bordo = Spaziatura interplanare*sqrt((Indice di Miller lungo l'asse x^2)+(Indice di Miller lungo l'asse y^2)+(Indice di Miller lungo l'asse z^2))

Indice di Miller lungo l'asse X utilizzando gli indici di Weiss

Partire Indice di Miller lungo l'asse x = lcm(Indice di Weiss lungo l'asse x,Indice Weiss lungo l'asse y,Indice Weiss lungo l'asse z)/Indice di Weiss lungo l'asse x

Indice di Miller lungo l'asse Y utilizzando gli indici di Weiss

Partire Indice di Miller lungo l'asse y = lcm(Indice di Weiss lungo l'asse x,Indice Weiss lungo l'asse y,Indice Weiss lungo l'asse z)/Indice Weiss lungo l'asse y

Indice di Miller lungo l'asse Z utilizzando gli indici di Weiss

Partire Indice di Miller lungo l'asse z = lcm(Indice di Weiss lungo l'asse x,Indice Weiss lungo l'asse y,Indice Weiss lungo l'asse z)/Indice Weiss lungo l'asse z

Frazione di posto vacante in termini di energia

Partire Frazione di posto vacante = exp(-Energia richiesta per posto vacante/([R]*Temperatura))

Energia per posto vacante

Partire Energia richiesta per posto vacante = -ln(Frazione di posto vacante)*[R]*Temperatura

Frazione di impurità in termini di energia reticolare

Partire Frazione di impurità = exp(-Energia richiesta per impurità/([R]*Temperatura))

Energia per impurità

Partire Energia richiesta per impurità = -ln(Frazione di impurità)*[R]*Temperatura

Efficienza dell'imballaggio

Partire Efficienza di imballaggio = (Volume occupato da sfere nella cella unitaria/Volume totale di cella unitaria)*100

Numero di reticoli contenenti impurità

Partire N. di reticolo occupato da impurità = Frazione di impurità*N. Totale di punti reticolari

Frazione di impurità nel reticolo

Partire Frazione di impurità = N. di reticolo occupato da impurità/N. Totale di punti reticolari

Indice di Weiss lungo l'asse X utilizzando gli indici di Miller

Partire Indice di Weiss lungo l'asse x = LCM di Weiss Indices/Indice di Miller lungo l'asse x

Frazione di posti vacanti in reticolo

Partire Frazione di posto vacante = Numero di reticolo libero/N. Totale di punti reticolari

Numero di reticoli liberi

Partire Numero di reticolo libero = Frazione di posto vacante*N. Totale di punti reticolari

Indice di Weiss lungo l'asse Y utilizzando gli indici di Miller

Partire Indice Weiss lungo l'asse y = LCM di Weiss Indices/Indice di Miller lungo l'asse y

Indice di Weiss lungo l'asse Z utilizzando gli indici di Miller

Partire Indice Weiss lungo l'asse z = LCM di Weiss Indices/Indice di Miller lungo l'asse z

Raggio della particella costituente nel reticolo BCC

Partire Raggio della particella costituente = 3*sqrt(3)*Lunghezza del bordo/4

Lunghezza del bordo della cella dell'unità centrata sulla faccia

Partire Lunghezza del bordo = 2*sqrt(2)*Raggio della particella costituente

Lunghezza del bordo della cella dell'unità centrata sul corpo

Partire Lunghezza del bordo = 4*Raggio della particella costituente/sqrt(3)

Rapporto raggio

Partire Rapporto di raggio = Raggio di catione/Raggio di anione

Numero di vuoti tetraedrici

Partire Numero di vuoti tetraedrici = 2*Numero di sfere imballate chiuse

Raggio della particella costituente nel reticolo FCC

Partire Raggio della particella costituente = Lunghezza del bordo/2.83

Raggio della particella costituente nella cella unitaria cubica semplice

Partire Raggio della particella costituente = Lunghezza del bordo/2

Lunghezza del bordo della cella unitaria cubica semplice

Partire Lunghezza del bordo = 2*Raggio della particella costituente

Numero di reticoli contenenti impurità Formula

N. di reticolo occupato da impurità = Frazione di impurità*N. Totale di punti reticolari
N_occupied = f*N

Quali sono i difetti del cristallo?

La disposizione degli atomi in tutti i materiali contiene imperfezioni che hanno un effetto profondo sul comportamento dei materiali. I difetti del reticolo possono essere suddivisi in tre 1. Difetti puntuali (posti liberi, difetti interstiziali, difetti di sostituzione) 2. Difetto di linea (dislocazione della vite, dislocazione del bordo) 3. Difetti superficiali (superficie del materiale, bordi del grano)

Perché i difetti sono importanti?

Esistono molte proprietà controllate o influenzate dai difetti, ad esempio: 1. Conducibilità elettrica e termica nei metalli (fortemente ridotta da difetti puntiformi). 2. Conduttività elettronica nei semiconduttori (controllata da difetti di sostituzione). 3. Diffusione (controllata da posti vacanti). 4. Conduttività ionica (controllata da posti vacanti). 5. Deformazione plastica nei materiali cristallini (controllata dalla dislocazione). 6. Colori (affetti da difetti). 7. Resistenza meccanica (fortemente dipendente dai difetti).

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