Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
vo2 = -(Rout*It)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Drain-Spannung Q2 - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Spannung Q2 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q2 in der Differenzschaltung abgenommen wird.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Gesamtstrom - (Gemessen in Ampere) - Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gesamtstrom: 7.7 Milliampere --> 0.0077 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
vo2 = -(Rout*It) --> -(4500*0.0077)
Auswerten ... ...
vo2 = -34.65
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
-34.65 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
-34.65 Volt <-- Drain-Spannung Q2
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

20 Stromspannung Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung
​ Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))
Eingangsspannung der Quelle
​ Gehen Eingangsspannung der Quelle = Eingangsspannung*(Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
Eingangs-Gate-Source-Spannung
​ Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))*Eingangsspannung
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET
​ Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert
​ Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))
Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers
​ Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)
Spannung am Drain Q1 des MOSFET
​ Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung am Drain Q2 im MOSFET
​ Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Sättigungsspannung des MOSFET
​ Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung
Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert
​ Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Schwellenspannung des MOSFET
​ Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Overdrive-Spannung
​ Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET Formel

Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
vo2 = -(Rout*It)

Was macht die Gleichtaktunterdrückung?

Gleichtaktunterdrückung ist die Fähigkeit des Differenzverstärkers (der als Signalaufbereitungsvorverstärker zwischen dem Oszilloskop und den Sonden sitzt), die Gleichtaktspannung vom Ausgang zu entfernen. Mit steigenden Signalfrequenzen verschlechtert sich jedoch das CMRR.

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