Porta al potenziale del collezionista Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2
Vgc = (Vgs+Vgd)/2
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Potenziale dal gate alla fonte - (Misurato in Volt) - Il potenziale gate-source è la tensione tra gate ed emettitore.
Porta per drenare potenziale - (Misurato in Volt) - Il potenziale gate-drain è definito come la tensione tra il gate e la giunzione di drain dei MOSFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Potenziale dal gate alla fonte: 5 Volt --> 5 Volt Nessuna conversione richiesta
Porta per drenare potenziale: 9.02 Volt --> 9.02 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vgc = (Vgs+Vgd)/2 --> (5+9.02)/2
Valutare ... ...
Vgc = 7.01
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
7.01 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
7.01 Volt <-- Voltaggio da gate a canale
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo
Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
Porta per la capacità di drenaggio
Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)
Capacità da gate a base
Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)
Capacità dal gate alla sorgente
Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)
Tensione di drenaggio
Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))
Potenziale da Drain a Source
Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
Gate to Channel Voltage
Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio
Minima alta tensione di uscita
Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata
Minima alta tensione di ingresso
Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato
Alto margine di rumore
Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata
Tensione di ingresso massima bassa
Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa
Tensione di uscita massima bassa
Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso
Margine a basso rumore
Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa
Porta al potenziale del collezionista
Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2
Potenziale dal gate alla fonte
Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale
Porta per drenare potenziale
Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Porta al potenziale del collezionista Formula

Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2
Vgc = (Vgs+Vgd)/2

Qual è il significato del modello a canale lungo?

Il modello a canale lungo presuppone che la corrente attraverso un transistor OFF sia 0. Quando un transistor si accende (Vgs > Vt), il gate attrae portanti (elettroni) per formare un canale. Gli elettroni si spostano dalla sorgente al drenaggio a una velocità proporzionale al campo elettrico tra queste regioni. Pertanto, possiamo calcolare le correnti se conosciamo la quantità di carica nel canale e la velocità con cui si muove.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!