Abbassa la corrente nella regione di saturazione calcolatrice

✖Il numero di transistor del driver parallelo si riferisce al numero di transistor del driver parallelo nel circuito.ⓘ Numero di transistor del driver parallelo [n]			+10% -10%
✖La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.ⓘ Mobilità elettronica [μ_n]			+10% -10%
✖La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.ⓘ Larghezza del canale [W]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.ⓘ Tensione della sorgente di gate [V_GS]			+10% -10%
✖La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%

✖La corrente di pull down della regione di saturazione è la corrente che attraversa il resistore quando un resistore di pull down viene utilizzato con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione.ⓘ Abbassa la corrente nella regione di saturazione [I_D(sat)]

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Formula

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Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Formula

`"I"_{"D(sat)"} = sum(x,0,"n",("μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}/2)*("W"/"L")*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})^2)`

Esempio

`"101550.1A"=sum(x,0,"11",("9.92m²/V*s"*"3.9F"/2)*("2.678m"/"3.45m")*("29.65V"-"5.91V")^2)`

Calcolatrice

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Abbassa la corrente nella regione di saturazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Regione di saturazione Abbassa corrente = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 8 Variabili

Funzioni utilizzate

sum - La notazione sommatoria o sigma (∑) è un metodo utilizzato per scrivere una lunga somma in modo conciso., sum(i, from, to, expr)

Variabili utilizzate

Regione di saturazione Abbassa corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di pull down della regione di saturazione è la corrente che attraversa il resistore quando un resistore di pull down viene utilizzato con un MOSFET a canale N in modalità Saturazione.
Numero di transistor del driver parallelo - Il numero di transistor del driver parallelo si riferisce al numero di transistor del driver parallelo nel circuito.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.
Tensione della sorgente di gate - (Misurato in Volt) - La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Numero di transistor del driver parallelo: 11 --> Nessuna conversione richiesta
Mobilità elettronica: 9.92 Metro quadrato per Volt al secondo --> 9.92 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dell'ossido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nessuna conversione richiesta
Larghezza del canale: 2.678 metro --> 2.678 metro Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del canale: 3.45 metro --> 3.45 metro Nessuna conversione richiesta
Tensione della sorgente di gate: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Valutare ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

101550.118939559 Ampere --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

101550.118939559 ≈ 101550.1 Ampere <-- Regione di saturazione Abbassa corrente

(Calcolo completato in 00.037 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Vignesh Naidu

Vellore Istituto di Tecnologia (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 21 Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Abbassa la corrente nella regione lineare

Partire Corrente di abbassamento della regione lineare = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(2*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)*Tensione di uscita-Tensione di uscita^2))

Tensione del nodo in una determinata istanza

Partire Tensione del nodo in una determinata istanza = (Fattore di transconduttanza/Capacità del nodo)*int(exp(-(1/(Resistenza del nodo*Capacità del nodo))*(Periodo di tempo-x))*Corrente che scorre nel nodo*x,x,0,Periodo di tempo)

Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Partire Regione di saturazione Abbassa corrente = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2)

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)

Tempo di saturazione

Partire Tempo di saturazione = -2*Capacità di carico/(Parametro del processo di transconduttanza*(Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)^2)*int(1,x,Alta tensione di uscita,Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)

Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Partire Regione lineare nel ritardo temporale = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Densità di carica della regione di esaurimento

Partire Densità della carica dello strato di esaurimento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(Potenziale di superficie-Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico

Partire Regione della profondità di esaurimento del drenaggio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potenziale di giunzione incorporato+Tensione della sorgente di drenaggio))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Partire Corrente di drenaggio della regione di saturazione = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale)

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Potenziale di Fermi per il tipo N

Partire Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)

Profondità massima di esaurimento

Partire Profondità massima di esaurimento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Partire Voltaggio integrato = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente

Partire Regione della profondità di esaurimento della fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potenziale di giunzione incorporato)/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Capacità equivalente di segnale grande

Partire Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Coefficiente di polarizzazione del substrato

Partire Coefficiente di polarizzazione del substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Potenza media dissipata in un periodo di tempo

Partire Potenza media = (1/Tempo totale impiegato)*int(Voltaggio*Attuale,x,0,Tempo totale impiegato)

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Funzione di lavoro in MOSFET

Partire Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)

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