Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni calcolatrice

✖Il perimetro del fianco è la lunghezza del fianco.ⓘ Perimetro del fianco [P]			+10% -10%
✖La capacità di giunzione della parete laterale si riferisce alla capacità associata alla parete laterale di una giunzione a semiconduttore.ⓘ Capacità di giunzione della parete laterale [C_jsw]			+10% -10%
✖Il fattore di equivalenza della tensione della parete laterale rappresenta la relazione tra la tensione applicata a un dispositivo a semiconduttore e la variazione risultante nella capacità di giunzione della parete laterale per unità di area.ⓘ Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale [K_eq(sw)]			+10% -10%

✖La capacità equivalente di giunzione di segnale di grandi dimensioni è un concetto utilizzato nell'analisi dei circuiti in cui più condensatori sono combinati in un'unica capacità di segnale di grandi dimensioni equivalente.ⓘ Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni [C_eq(sw)]

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Formula

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Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Formula

`"C"_{"eq(sw)"} = "P"*"C"_{"jsw"}*"K"_{"eq(sw)"}`

Esempio

`"1.5E^-21F"="0.0025m"*"2.9E^-15F"*"0.00021"`

Calcolatrice

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Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni - (Misurato in Farad) - La capacità equivalente di giunzione di segnale di grandi dimensioni è un concetto utilizzato nell'analisi dei circuiti in cui più condensatori sono combinati in un'unica capacità di segnale di grandi dimensioni equivalente.
Perimetro del fianco - (Misurato in metro) - Il perimetro del fianco è la lunghezza del fianco.
Capacità di giunzione della parete laterale - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione della parete laterale si riferisce alla capacità associata alla parete laterale di una giunzione a semiconduttore.
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale - Il fattore di equivalenza della tensione della parete laterale rappresenta la relazione tra la tensione applicata a un dispositivo a semiconduttore e la variazione risultante nella capacità di giunzione della parete laterale per unità di area.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Perimetro del fianco: 0.0025 metro --> 0.0025 metro Nessuna conversione richiesta
Capacità di giunzione della parete laterale: 2.9E-15 Farad --> 2.9E-15 Farad Nessuna conversione richiesta
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale: 0.00021 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw) --> 0.0025*2.9E-15*0.00021

Valutare ... ...

C_eq(sw) = 1.5225E-21

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.5225E-21 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.5225E-21 ≈ 1.5E-21 Farad <-- Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 21 Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Abbassa la corrente nella regione lineare

Partire Corrente di abbassamento della regione lineare = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(2*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)*Tensione di uscita-Tensione di uscita^2))

Tensione del nodo in una determinata istanza

Partire Tensione del nodo in una determinata istanza = (Fattore di transconduttanza/Capacità del nodo)*int(exp(-(1/(Resistenza del nodo*Capacità del nodo))*(Periodo di tempo-x))*Corrente che scorre nel nodo*x,x,0,Periodo di tempo)

Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Partire Regione di saturazione Abbassa corrente = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2)

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)

Tempo di saturazione

Partire Tempo di saturazione = -2*Capacità di carico/(Parametro del processo di transconduttanza*(Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)^2)*int(1,x,Alta tensione di uscita,Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)

Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Partire Regione lineare nel ritardo temporale = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Densità di carica della regione di esaurimento

Partire Densità della carica dello strato di esaurimento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(Potenziale di superficie-Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico

Partire Regione della profondità di esaurimento del drenaggio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potenziale di giunzione incorporato+Tensione della sorgente di drenaggio))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Partire Corrente di drenaggio della regione di saturazione = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale)

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Potenziale di Fermi per il tipo N

Partire Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)

Profondità massima di esaurimento

Partire Profondità massima di esaurimento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Partire Voltaggio integrato = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente

Partire Regione della profondità di esaurimento della fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potenziale di giunzione incorporato)/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Capacità equivalente di segnale grande

Partire Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Coefficiente di polarizzazione del substrato

Partire Coefficiente di polarizzazione del substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Potenza media dissipata in un periodo di tempo

Partire Potenza media = (1/Tempo totale impiegato)*int(Voltaggio*Attuale,x,0,Tempo totale impiegato)

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Funzione di lavoro in MOSFET

Partire Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)

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